韩国芯片制造商 SK 海力士周四在美国印第安纳州举行了一场奠基仪式，宣布将建设一座用于人工智能（AI）内存的先进封装生产设施，计划每年在此生产数十万片晶圆。

奠基仪式在印第安纳州西拉法叶的普渡大学举行。SK 海力士正积极推进在美国建立首个下一代高带宽内存（HBM）生产基地的计划，总投资预计超过 40 亿美元。HBM 是驱动人工智能的先进芯片中的关键组件。

在印第安纳州的工厂中，SK 海力士计划于 2028 年 10 月启用洁净室，并于 2029 年下半年开始量产下一代 HBM 芯片。该公司预计，到 2030 年该工厂将成为美国重要的 HBM 生产基地，在商业化运营期间将拥有约 1000 名员工。

这家芯片制造商还计划在生产线旁建设一个 " 先进封装研发测试平台 "，以便客户、高校及商业合作伙伴能够共同开展封装技术开发，并进行原型制造和性能验证。

该公司表示，SK 海力士生产的先进晶圆将运往印第安纳州，在那里进行先进的封装和测试，之后再向英伟达等美国大型科技公司供应 " 美国制造 " 的产品。

SK 海力士 CEO 郭鲁正在奠基仪式上表示，公司计划于 2029 年第三季度在这座工厂启动下一代 HBM4E 芯片的大规模量产。

" 我们预计年产能将达到数十万片晶圆，" 他说，" 这将为客户提供一种新的美国制造 HBM 产品来源，同时加强美国半导体供应链，并促进经济发展。"