韩国芯片制造商 SK 海力士周四表示，计划于 2029 年第三季度在印第安纳州工厂开始量产新一代 HBM4E 芯片。该公司首席执行官郭鲁正表示，该工厂最终年产能将达到数十万片晶圆，并预计当前的内存芯片短缺将持续至 2030 年底。

这项投资超过 40 亿美元的项目标志着 SK 海力士美国业务的重大扩张。随着人工智能（AI）投资激增，高带宽内存（HBM）需求迅速增长，SK 海力士希望让生产基地更靠近英伟达、微软以及 Alphabet 旗下谷歌等主要客户。

郭鲁正表示，他并未看到内存芯片行业进入下行周期的明显迹象，并预计即使最终出现放缓，需求也只会趋于温和，而不是大幅下降。他还称，不担心 2030 年以后的市场前景。

该公司预计，到 2030 年，印第安纳州工厂将成为其在美国的关键 HBM 生产基地，将设有新一代 HBM 封装生产线和 AI 半导体研发设施。郭鲁正称，这家工厂计划于 2028 年下半年开始洁净室运营。

SK 海力士表示，该工厂将与公司在韩国的生产基地紧密协同运作：在韩国生产出的先进晶圆将运往印第安纳州进行封装和测试，随后供应给美国客户。

郭鲁正表示，SK 海力士旨在在美国建立一条先进内存供应链。

HBM 是一种专门设计的芯片，通过将多层芯片垂直堆叠，在降低功耗的同时实现更快的数据处理速度，因此特别适合满足 AI 应用庞大的算力需求。

数据中心建设竞赛

Counterpoint Research 数据显示，2026 年第一季度，SK 海力士按营收计算占据全球 HBM 市场 58% 的份额，远超三星电子 005930.KS 和美光科技 MU.O ，后两者各占 21%。

作为 SK 海力士的主要客户，Nvidia周三预测下财年营收将激增 70%，凸显人工智能（AI）算力需求持续强劲，并增强投资者对 AI 支出热潮持续性的信心。而郭鲁正的言论表明，SK 海力士认为目前尚无迹象表明内存周期将在短期内出现逆转。

SK 海力士预计，该工厂及相关供应链投资将在当地创造约 7，000 个直接和间接就业岗位，并有助于增强半导体供应链的韧性。

美国政府 2024 年 12 月根据《芯片法案》最终敲定向 SK 海力士提供 4.58 亿美元补贴及最高 5 亿美元贷款。此外，公司董事会本月早些时候批准截至 2031 年约 54.3 万亿韩元（383 亿美元）的投资计划，其中包括用于其韩国本土芯片制造厂第二阶段建设的 35.2 万亿韩元。