纽斯频通讯社首尔 9 月 1 日电 中国最大动态随机存储器（DRAM）企业长鑫存储（CXMT）正加快新一代移动 DRAM 产品研发和量产进程，与三星电子、SK 海力士等韩国企业的技术开发时间差进一步缩小。

【插图 =AI 生成、周钰涵 记者】

据半导体业界 1 日消息，在上一代移动 DRAM 产品领域，长鑫存储与韩国企业曾存在数年的开发时间差，而在新一代 LPDDR6 产品上，这一差距已缩短至数月。

三星电子于 2019 年开始量产 LPDDR5，长鑫存储于 2023 年年底开始量产同规格产品，双方相差 4 年以上。在 LPDDR5X 方面，三星电子和 SK 海力士于 2022 年开始量产，长鑫存储于 2025 年开始量产，时间差约为 3 年。

在 LPDDR6 领域，三星电子于 2026 年 1 月公布相关产品，SK 海力士于 3 月完成开发认证，长鑫存储同月开始客户验证，并于 8 月正式宣布量产。由此，长鑫存储与韩国企业在相关产品上的开发时间差进一步缩短。

长鑫存储 LPDDR6 预计将搭载于 9 月上市的小米折叠屏智能手机 "18 Fold"。中国政府长期支持、大规模研发投入以及与小米等本土智能手机企业开展合作，被认为是长鑫存储加快产品研发和商业化进程的重要因素。

长鑫存储成立于 2016 年，由安徽省合肥经济开发区下属投资机构出资设立。目前，与合肥市政府有关联的投资者持有该公司 36.8% 的股份。随着中国持续推进半导体产业自主化，长鑫存储获得长期资金支持的基础进一步加强。

今年 7 月，长鑫存储在上海证券交易所上市，募集资金 579.2 亿元人民币，成为今年亚洲规模最大的企业首次公开募股（IPO）。

根据长鑫存储招股计划，公司计划将 295 亿元人民币投入核心业务，其中 75 亿元用于存储器晶圆量产线升级，130 亿元用于 DRAM 技术升级，90 亿元用于下一代 DRAM 前沿技术研发。

业内指出，半导体产品完成研发后，还需要经过客户验证，测试产品在智能手机等终端设备中的运行速度、功耗、发热和稳定性等指标，才能进入量产阶段。长鑫存储已与小米、OPPO、vivo 等中国智能手机企业建立客户关系，并具有供应 LPDDR4X 和 LPDDR5 产品的经验。

数据显示，长鑫存储在全球移动 LPDDR 市场的份额由 2024 年的 3.5% 升至 2025 年的 6.8%，预计 2026 年将达到 10.5%。

长鑫存储 LPDDR6 产品于今年 3 月开始向客户提供样品并进行验证，随后推进量产，并计划搭载于小米新款折叠屏手机。通过本土客户开展产品验证并推动终端应用，有助于缩短产品商业化周期。

不过，业内认为，长鑫存储缩短新产品研发和上市时间，并不意味着其已经全面达到三星电子和 SK 海力士的竞争水平。半导体产业竞争除产品研发速度外，还取决于生产良率、成本以及大规模稳定供应能力。

在生产工艺方面，三星电子和 SK 海力士在先进 DRAM 生产中使用极紫外（EUV）光刻设备，而中国目前无法获得 EUV 设备。长鑫存储主要采用深紫外（DUV）设备，通过多重曝光等工艺进行补偿。业内认为，随着工艺复杂度提高，生产时间和成本可能增加，良率管理难度也会相应提高。

据 Semianalysis 估算，长鑫存储 DDR5 产品每比特生产成本比三星电子、SK 海力士和美光高出 30% 以上。

面对竞争加剧，三星电子和 SK 海力士也在加快技术升级。两家公司不仅推进新产品研发，还通过采用先进工艺提升产品性能和能效，并从研发早期阶段与客户开展验证，以争取市场先机。

三星电子在 LPDDR6 开发过程中与主要系统半导体企业开展早期验证，产品能效较上一代提高约 21%。SK 海力士采用最新 1c 工艺开发 LPDDR6，数据处理速度较 LPDDR5X 提高 33%，功耗降低 20% 以上。

随着长鑫存储加快新产品研发和商业化进程，韩国企业在移动 DRAM 领域的竞争压力有所增加。业内认为，未来半导体企业之间的竞争将更多取决于产品性能、生产良率、成本控制以及大规模稳定供应等综合能力。（完）

韩国纽斯频（NEWSPIM · 뉴스핌）通讯社