据科技媒体 The Information 报道，国产存储巨头长鑫存储已启动 HBM3E 内存的风险试产工作。

据悉，阿里巴巴旗下平头哥（T-Head）也已开始对这些芯片进行测试，为 2027 年的规模化量产做准备。这意味着中国国产 AI 加速器生态面临的最大瓶颈之一，正在逐步得到缓解。

报道称长鑫存储当前计划扩大产能。预计到今年年底，该公司的 DRAM 制造能力将达到每月 35 万片晶圆，未来几年的产能还将继续提高。

虽然还不清楚长鑫存储 HBM3E 的具体规格。但根据 JEDEC（固态技术协会）规范，HBM3E 应采用 1024-bit 位宽，单引脚速率介于 9.2Gbps 至 12.4Gbps 之间，大多数标准配置的目标速率为 9.6Gbps。

在 9.6Gbps 的典型配置下，HBM3E 的总带宽可达 1.2TB/s。在采用 8 层堆叠、单层 24Gb DRAM 的情况下，其单个堆栈容量为 24GB；采用 12 层堆叠时，容量可达 36GB。

考虑到长鑫存储此前已具备从风险试产快速过渡到大规模量产的能力，因此其 HBM3E 有可能在数周内进入大规模量产阶段。

此外，长鑫存储在晶圆厂洁净室建设速度方面拥有明显优势。其建设一座晶圆厂洁净室仅需 12 个月，其他厂商通常需要两年。

有分析称，在 HBM 领域，长鑫存储的目标是在 2027 年实现 12 层堆叠 HBM3E 的量产。如果长鑫存储能够在 2027 年生产约 300 万至 400 万颗 HBM3E 堆栈，这一产能规模将有望显著缓解中国 AI GPU 供应链中的一项关键瓶颈。

显然，CXMT 正在加速追赶，但根据大摩的 HBM 路线图显示，SK 海力士、三星和美光在近两年陆续实现 HBM3E 和 HBM4 量产，但进度与市场地位存在明显差异，预计到 2028 年进入 HBM5 阶段。

具象来看，SK 海力士于 2024 年 3 月率先大规模量产 12 层 36GB HBM3E，并在当年获得英伟达、AMD 认证，成为 Blackwell 等主流 AI 芯片的重要供应商；2025 年初进一步推出 16 层 48GB 产品，目前仍是英伟达 HBM3E 的主力供应商。

美光于 2024 年 2 月底宣布量产 8 层 24GB HBM3E，Q2 起用于英伟达 H200，随后推出 12 层 36GB 版本，并进入 AMD MI350 及英伟达 GB200 系统。

三星于 2024 年 Q3 开始量产 8 层产品，12 层版本于 2025 年 2 月启动量产，但经历约 18 个月验证后，直到 2025 年 9 月才正式通过英伟达认证，随后开启小批量供货。

相比之下，大摩预计，CXMT 直到 2028 年才能达到 HBM4。

中国正在大规模投入资金和资源，但要在 HBM 领域真正缩小并跨越持续多年的技术代差，还在于制程能力和先进封装能力能否持续进阶，而 2028 年的时间节点亦是关键。

数据显示，2026 年全球 HBM 总规模预计 450 – 546 亿美元，同比增长 58%，其中 HBM3E 仍占主导，HBM4 于 2025Q4 起小批量导入，2026 上半年占比仍低于 HBM3E。

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