快科技 8 月 31 日消息，SK 海力士正考虑将部分 HBM 基础裸片（Base Die）的生产交由英特尔代工，以减少对台积电晶圆代工的过度依赖。该计划预计将从第七代 HBM 芯片 HBM4E 开始逐步推进。

在 HBM3E 及此前世代，SK 海力士一直采用内部产线生产基底芯片。然而，随着基础裸片对逻辑功能与性能要求的持续提升，自 HBM4 起，公司已转由台积电代工，目前量产中的 HBM4 基础裸片采用台积电 12 纳米级工艺。

业内分析指出，在 HBM4 方案中，台积电代工的基础裸片价格，已高达 SK 海力士自身 10nm 级第五代工艺所产核心芯片的 3 至 4 倍。预计到 HBM4E 阶段，这一成本负担将进一步加重。

与此同时，由于 HBM 产品多采用长期供货合同（LTA）模式，占比极高，SK 海力士短期内难以将代工成本上涨直接转嫁至终端售价。因此，建立多供应商体系、增强价格谈判能力，已成为其供应链战略的必然选择。

若英特尔成功加入供应链，SK 海力士不仅有望降低单位成本、提升供应稳定性，还能有效分散地缘与产能风险，减少对单一代工厂的依赖。

SK 海力士目前正积极评估台积电 CoWoS-S、CoWoS-L 及英特尔 EMIB 等多种封装方案，以期在异构集成与系统级性能优化上获得更多技术选择与议价空间。这或将为 HBM 生态链的多元化发展打开新窗口。

对此，SK 海力士回应：" 我司难以确认技术路线图的具体内容；此外，关于将 HBM4E 基础裸片的生产委托给英特尔一事，并未进行相关探讨。"

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责任编辑：鹿角