财联社 8 月 31 日讯（编辑 李莹）近期，用于 AI 加速器的高带宽内存（HBM）等 DRAM 产品价格持续飙升。业内近日指出，作为合计占据全球存储芯片市场约 70% 份额的两大厂商，三星电子与 SK 海力士已难以跟上激增的 DRAM 需求。

据韩国国际贸易协会（KITA）当地时间周一公布的数据，韩国 AI 芯片用 DRAM 出口量由 5 月的约 6.817 亿个降至 7 月的 5.9174 亿个，减少 13.2%；同期出口总额却从 114.3 亿美元增至 135.5 亿美元，增长 18.5%。

平均单价由 16.76 美元涨至 22.90 美元，涨幅达 36.6%。

媒体报道指出，量减价涨的背离，源于HBM4 向英伟达等大客户的供货放量：HBM4 仍处于量产初期，良率低于上一代 HBM3E，生产中消耗的 DRAM 更多，这令 DRAM 的整体短缺进一步加深。

韩国半导体产业协会（KSIA）常务董事 Ahn Ki-hyun 表示：

"HBM 往往每推出一代新品，良率就会下降。HBM4 售价约为上一代的两倍，因此随着存储厂商提高产量，DRAM 消耗量上升，出口总量反而萎缩。"

媒体报道称，供应紧张的另一重推手，是两家厂商将长期协议（LTA）作为销售结构核心，令现货市场进一步趋紧。

据业内消息，三星存储事业部已将 2031 年前约 70% 的产能分配给 LTA 订单，主要交易对象包括英伟达、微软和谷歌等全球科技巨头；而即便是这些客户也无法拿到全部合约量。

HBM 争夺战加剧，推动现货价格大幅脱离长协价格。

媒体援引存储市场研究机构 MegaGrid Supply 最新数据指出，36GB 的 HBM3E 产品现货售价为 2100 美元，约合 287 万韩元，是其长期合约价格（约 50 万至 70 万韩元）的四到五倍。

而正在准备量产的 16 层 HBM4 产品，若通过现货市场采购，价格达 3500 美元，约合 480 万韩元；目前并不知道其对应的长协价格。

价格上涨推高业绩

HBM 价格上涨会直接转化为业绩。据媒体援引金融投资业分析师测算，两家公司第三季度将再创历史新高。

根据该测算，三星电子第三季度市场一致预期的营业收入为 206.64 万亿韩元、营业利润为 116.38 万亿韩元，远高于第二季度的 171.50 万亿韩元和 89.49 万亿韩元。

业内指出，营业利润若突破 100 万亿韩元，不仅在韩国企业中属于首次，在全球科技巨头中也是首次。

SK 海力士第三季度营业收入预计为 101.76 万亿韩元，环比增长 28.2%；营业利润 79.16 万亿韩元，环比增长 30.7%。

推进产能扩张

市场普遍判断短缺不会很快化解，三星电子与 SK 海力士正多线推进产能扩张。

据报道，三星电子器件解决方案部门高管正在评估一项方案：最早于明年将平泽园区唯一一条承接外部客户订单的代工产线 S5，改造为存储生产设施。

据业内消息，SK 海力士在考虑与当地伙伴在日本设立合资工厂的可能性；业内尤为关注其可能扩大与铠侠的合作——后者为日本最大 NAND 闪存厂商，SK 海力士实际上是其最大股东。

不过扩产难以立竿见影。Ahn Ki-hyun 表示：" 解决芯片短缺需要建设更多生产工厂。即便计划中的新厂投产，短缺也只会得到缓解，而不会被消除。"