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HBM现货价格暴涨至长期合约五倍:存储疯狂内卷加剧现货紧缺
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快科技 9 月 1 日消息,据媒体报道,用于 AI 加速器的高带宽内存(HBM)等 DRAM 产品价格持续飙升。

近日业界指出,合计占据全球存储芯片市场约 70% 份额的三星电子与 SK 海力士,已难以跟上激增的 DRAM 需求,供需缺口仍在扩大。

据韩国国际贸易协会(KITA)8 月 31 日公布的数据,韩国 AI 芯片用 DRAM 出口量由 5 月的约 6.817 亿个降至 7 月的 5.9174 亿个,减少 13.2%;同期出口总额却从 114.3 亿美元增至 135.5 亿美元,增长 18.5%。平均单价由 16.76 美元涨至 22.90 美元,涨幅达 36.6%。

媒体报道指出,量减价涨的背离,源于 HBM4 向英伟达等大客户的供货放量:HBM4 仍处于量产初期,良率低于上一代 HBM3E,生产中消耗的 DRAM 晶圆更多,这令 DRAM 的整体短缺进一步加深。

据业内消息,三星存储事业部已将 2031 年前约 70% 的产能分配至长期协议(LTA)订单,主要交易对象包括英伟达、微软和谷歌等全球科技巨头。然而,即便是这些核心客户,也无法拿到全部合约量。

现货市场的价格信号更为剧烈。存储市场研究机构 MegaGrid Supply 最新数据显示,36GB 的 HBM3E 现货售价已达 2100 美元(约合 287 万韩元),是其长期合约价格(约 50 万至 70 万韩元)的四到五倍,凸显供需失衡之严重。

据市场一致预期,三星电子第三季度营业收入有望达 206.64 万亿韩元,营业利润达 116.38 万亿韩元,显著高于第二季度的 171.50 万亿韩元和 89.49 万亿韩元。

业内指出,若营业利润突破 100 万亿韩元,不仅为韩国企业首次,在全球科技巨头中也属首次。

业内分析人士 Ahn Ki-hyun 表示:" 解决芯片短缺需要建设更多生产工厂。即便计划中的新厂投产,短缺也只会得到缓解,而不会被消除。" 这意味着 DRAM 高景气周期仍将在未来一段时间内延续。

【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技

责任编辑:鹿角

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