快科技 9 月 2 日消息，瑞银（UBS）最新发布的研究报告指出，中国在 EUV 光刻技术上的成熟度仅相当于 ASML 在 2004 年的水平，落后至少 22 年。报告认为，中国在未来 10 年内都难以开发出能够真正替代 ASML 尖端 EUV 设备的方案。

瑞银分析师团队通过检视中国在光源、激光子系统等领域的专利申请活动得出了上述结论。ASML 从 2004 年的技术阶段到开始大规模生产 EUV 设备，用了大约 15 年时间。瑞银据此推断，中国 EUV 设备在商业化可行性和良率产能上仍将长期落后。

不过，在技术要求相对较低的浸润式 DUV 光刻机领域，中国的追赶速度明显更快。瑞银预计，中国有望在 2 至 5 年内具备浸润式 DUV 光刻机的大规模量产能力。

浸润式 DUV 虽不及 EUV 先进，但仍是芯片制造不可或缺的核心设备，ASML 每台浸润式 DUV 设备售价约 9000 万美元，而 EUV 设备单价超过 2 亿美元。

值得注意的是，有消息人士称，国产 EUV 光刻机可以在 2028 年实现先进芯片生产，但外部评估认为量产可能要到 2030 年左右。

荷兰政府自 2024 年 9 月起已将部分浸润式 DUV 设备纳入出口许可管理。然而，若中国在 2 至 5 年内实现 DUV 量产，荷兰目前最具实际影响力的出口管制工具可能逐渐失效。

ASML 预计 2026 年中国市场营收占比将从 2025 年的 33% 降至约 20%。全球唯一能生产 EUV 设备的 ASML，正在面临一个现实困境：中国的追赶速度，可能比预想的更快。

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