每日经济新闻 昨天
8月全球DRAM、NAND均价再创新高,涨价幅度环比收窄
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截至 9 月 2 日 10 时 58 分,市场震荡调整,同指数费率最低标的科创芯片 ETF(588290)跟踪指数下跌 2.29%。支持 T+0、聚焦港股硬科技的港股通信息技术 ETF(513240)跟踪指数下跌 1.96%。成分股中,安克创新上涨 6.18%,建滔积层板上涨 1.87%,艾为电子上涨 0.22%。

消息面上,受 AI 基础设施需求扩张推动,今年 8 月全球 DRAM 与 NAND 闪存均价再创历史新高,但涨幅较 7 月有所收窄。集邦咨询数据显示,8 月标准 PC DRAM 均价 25 美元,环比上涨 4.2%,较 2016 年统计起始时的 2.90 美元已涨超七倍;标准 NAND 均价 30.50 美元,环比仅涨 1.4%,实现连续 20 个月上涨。

集邦咨询将第三季度 PC DRAM 合约价涨幅预期上调至 18-23%,但较第二季度的 45-50% 已明显回落。SLC 价格涨幅也从 7 月的 34-51% 收窄至 16-28%,机构预计后续 MLC 涨价态势将进一步降温,整体存储芯片涨价节奏正在放缓。

相关研究机构表示,算力产业链中高景气细分赛道如 PCB、存储等需求旺盛,均处于景气扩张周期,亦有望提振上游设备、先进封装等需求,建议关注 PCB、存储、半导体设备及材料、先进封装等产业链投资机遇。(风险提示:以上信息仅供参考,不构成投资建议。入市有风险,投资需谨慎。)

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