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进入1.4nm节点比台积电更快:Intel 14A工艺关键指标D0提前一年实现
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快科技 9 月 3 日消息,除了 22nm 及 14nm 3D 晶体管工艺,Intel 之后的几代工艺进展都落后于台积电了,目前的 18A./18A-P 工艺算是追平,而赶超台积电就要看 1.4nm 节点的 14A 工艺了。

Intel 之前多次提到他们的 14A 工艺进展超预期,比 18A 节点还要顺利,但官方之前没给出具体说法,CFO David Zinsner 最近才提到了 D0 缺陷密度这个关键指标,称 14A 之顺利是 22nm 工艺以来从未有过的表现。

那 14A 工艺具体好到什么程度呢,网友 The Inteller 给出的资料上有更明确的说法,今年 6 月份 14A 工艺的缺陷密度已经到 D0 0.5 的水平,目标是在 2027 年 Q1 季度做到 D0 0.1-0.2。

D0 密度直接决定了良率,100mm2 面积的小芯片 D0 可以看作良率,0.1 以下意味着 90% 以上的良率,而大芯片的话 D0 更重要,AI 芯片面积通常在 400-800mm2,D0 小于 0.1 也就能做到 65-75% 的良率,0.5 的指标意味着 10% 的良率,完全没有量产的可行性。

如果对比 18A 工艺的进展周期,14A 工艺在进度上整体领先 3-4 季度,也就是说 Intel 之前表态提前一年量产 14A 工艺不是随便说的,是有足够的底气才决定的。

按照这样的速度来说,14A 工艺量产时间都不需要到 2028 年下半年,2028 上半年甚至 Q1 季度都有可能。

这意味着什么?要知道同样是在等效 1.4nm 技术上,台积电的 A14 工艺是在 2028 年下半年量产,Intel 这次有希望做到比台积电提前半年甚至 3 个季度进入 1.4nm 时代。

Intel 对 14A 工艺的期望值也非常高,因为当前的 18A 工艺主要是自用,14A 工艺除了自用还会重点对外提供代工服务,是 Intel 争取苹果、谷歌、Meta、亚马逊等大客户订单的核心一战,再配合自家的 EMIB 封装技术,只要技术稳定量产,是不会缺少订单的。

只要 14A 工艺能做到这个时间差,Intel 复兴代工业务真的有希望了。

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责任编辑:宪瑞

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