还记得 7 年前的日韩半导体大战吗？（具体见《日本放韩国芯片一马，韩国付出惨痛代价》一文）

2019 年，日本政府限制对韩出口氟化聚酰亚胺、光刻胶、氟化氢三种关键芯片材料，卡住了韩国芯片的脖子，也掐住了韩国经济的命脉。

韩国虽然采取了反制 + 自救措施，依然损失惨重，最终在美国的调节下与日本妥协。

如今，风向又变了。

最近，韩国 SK 集团会长崔泰源访问东京期间明确表示，正考虑 SK 海力士与日本铠侠联合生产 NAND 闪存，并计划在日本建设芯片工厂。

要知道，在全球 NAND 闪存市场，SK 海力士 22% 排第二，铠侠 14% 列第三，两者是直接竞争对手。

全球 NAND 闪存市场份额

昔日的对手，怎么要 " 抱团 " 了？

众所周知，AI 引爆存储需求，各大存储巨头纷纷投资扩大产能。

海力士即便在韩国加码 1000 万亿韩元，也无法满足未来的需求。

同步在日本布局工厂，成为最佳选项之一。

日本之所以成为最佳选项之一，是因为日本半导体产业配套极为成熟。

更重要的是，日本在光刻胶、高纯气体、特种晶圆材料等核心上游领域，依旧掌握全球话语权。

牵手铠侠，海力士可以直接利用铠侠的产能，更能够深度绑定日本供应链，规避风险。

此外，海力士还是铠侠的重要间接投资方，这让双方关系更进一层。

海力士与铠侠的微妙关系，正是当前全球存储行业的真实写照。

除了中国的长鑫存储与长江存储外，全球的存储玩家主要有韩国的三星、海力士，美国的美光、闪迪，日本的铠侠。

全球 HBM 市场份额

一方面，各家在终端市场激烈厮杀，频发专利诉讼、价格战，挤压对手生存空间。

另一方面，又保持着微妙的合作关系。

铠侠与闪迪的合资关系超过 25 年，近期刚将协议延长至 2034 年，计划联合投资超 310 亿美元扩建日本工厂。

海力士与闪迪，于 2025 年签署了合作备忘录，共同制定高带宽闪存（HBF）的全球标准。

三星与海力士联手，与高通合作推进高带宽计算（HBC）技术商业化。

三星、海力士、美光三家 HBM 制造商历史上首次联手入股 AI 公司 Anthropic。

……

合作之外，还有默契。

巨头们通过有序控产、技术协同、供应链互通，共同稳住行业产能节奏，避免恶性价格战，维系存储芯片整体高利润格局。

早在 2021 年，三星电子、海力士和美光在美国因涉嫌操控 DRAM 价格被起诉。

今年 6 月，三星、海力士和美光又在美国加利福尼亚联邦法院被提起集体诉讼，被控合谋操纵 DRAM 价格。

海力士与铠侠的 " 抱团 "，表面看是为了产能，深层看是共同构筑行业壁垒，维系垄断地位。

如今，稳定的行业棋局，正在被中国企业打破。

2026 年第二季度，长江存储以 14% 的 NAND 出货份额首次跻身全球第三，超越铠侠。

长鑫存储 DRAM 份额从三年前的 2.4% 攀升至 9%。

虽然按营收计，中国厂商与头部仍有差距，但追赶的速度不容忽视。

面对海外巨头 " 抱团 "，中国企业也不应该单打独斗，而是要全力发挥产业链协同优势。

当产业链上下游协同作战，中国存储产业才能实现集体突围。

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