对话博测锐创邱宇峰：车规 SiC 已进入成熟期 高压测试设备国产化发展潜力可观 | 直击 2026 中小企业创新技术年度首发活动

《科创板日报》9 月 6 日讯（记者 王楚凡） 近日，2026 世界动力电池大会在四川宜宾召开。大会同期，由工业和信息化部中小企业发展促进中心与宜宾市人民政府联合主办的 "2026 中小企业创新技术年度首发活动 " 在宜宾翠屏区成功举办，以 " 技术破局 · 动能无限 " 为主题，集中发布 9 项中小企业创新技术，把中小企业创新技术首发放在动力电池千亿集群的真实场景里检验，试图打通 " 实验室—首台套—产业应用 " 的最后一公里。

活动现场，博测锐创半导体科技（苏州）有限公司推出 12.5kV 超高压功率器件测试分析仪，覆盖耐压 12.5kV 以内 SiC/GaN 器件耐压、I-V、C-V 等静态特性检测，填补了万伏级测试设备空白。

博测锐创成立于 2022 年，前身为北京博电新力电气股份有限公司的半导体事业部，专注于功率半导体及宽禁带半导体（SiC/GaN）检测设备的研发与制造。该公司坚持从核心大功率 SMU（源测量单元）到系统架构的完全自主研发，产品覆盖晶圆探针测试、参数测试、可靠性测试及实验室动静态测试等全流程。

会后，博测锐创半导体科技（苏州）有限公司董事长邱宇峰接受了《科创板日报》记者的采访，探讨国产测试设备研发创新与如何进一步支撑功率半导体器件向万伏级发展。

《科创板日报》：请简要介绍本次首发的技术。

邱宇峰：这次我们首发的是全球首款、世界唯一的 12.5kV 超高压功率半导体测试分析仪。它主要解决的是当前以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体器件正在向万伏级电压水平发展，但缺乏相应测试仪器这一行业痛点。这款产品能够满足业界在碳化硅和氮化镓器件向万伏千安级发展方向上的迫切技术需求，填补了全球空白。

《科创板日报》：这项技术主要应用在哪些领域？如何看待产品未来的市场空间？

邱宇峰：我们的这项技术主要用于万伏级碳化硅和氮化镓等宽禁带高压功率半导体测试分析，从研发设计到晶圆级制造、模块封装再到应用，各个阶段都需要进行电学性能测试，这就需要相应的测试仪器和手段。我们的技术满足了这一需求，能够支撑功率半导体器件向万伏级超高压大功率方向发展的技术潮流。

《科创板日报》：半导体测试设备研发投入时间长、验证周期长，公司如何平衡前沿技术投入与客户项目迭代、商业化落地之间的关系？

邱宇峰：功率半导体测试技术非常有挑战性，尤其是进入碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体的测试，有很多技术难题需要攻克。我们首先掌握核心硬核科技，即测试技术本身——最基本的是高精度的电压电流源表（SMU）和能够精准控制输出的大功率功率放大器技术。

另外，针对碳化硅、氮化镓器件的特性，我们还要储备和研发很多关键技术。比如碳化硅的动态特性测不准，是全球业界普遍没有解决好的难题，我们花了四五年时间潜心研究，最终实现突破。

目前我们在碳化硅动态特性测试方面，从精准度、测试效率到结果与器件标称参数值偏差的控制，都达到了业界最高水平。我们的原则是：基本技术先做研发和储备，再做成装置加以实现，经用户应用验证迭代后实现量产。

《科创板日报》：车规级碳化硅是行业较大增量，车规对测试精度、稳定性、一致性要求极高。公司针对车规功率器件测试做了哪些技术布局？

邱宇峰：在车规级器件测试设备方面，针对 1200V、1700V 这些中低压车规级器件，我们在静态动态、DBC、KGD 等测试设备方面都已开发出系列产品，性能指标通过用户对比测试，一致公认达到业界最好水平。

《科创板日报》：如何看待目前国内车规碳化硅产业的真实发展节奏？

邱宇峰：目前车规碳化硅器件已经进入成熟期。早期上车后失效率太高，经过业界这几年从衬底外延到芯片到模组封装的努力，特别是在可靠性提升方面，大家做了很多功课，有了长足进步。衬底外延缺陷密度大幅降低，芯片在设计和鲁棒性方面也做了很多加强措施。

目前已有多家国内碳化硅器件能够达到车规级应用要求，并且已开始上车进入主驱，而不仅是用在 OBC、DC/DC。能在主驱上应用是碳化硅器件成熟的标志，这为我国碳化硅器件的发展奠定了非常好的基础。

《科创板日报》：近年来半导体测试赛道涌入很多新玩家，出现同质化竞争、拼价格的现象。您如何看待当前竞争态势？行业未来发展趋势是什么？

邱宇峰：目前功率半导体测试行业确实有很多新玩家加入，存在内卷拼价格的现象，难以避免。但必须看到，功率半导体分单管和模块两类——单管测量技术要求相对较低，廉价设备可以解决；模块测量则需要更优质的产品。

模块测试以前用的都是进口设备，现在逐步国产化，有些企业产品卖得便宜，但在精度、UPH 值、功能等方面与优质产品仍有差距。要求不高的厂家可以接受，但真正需要生产高质量产品——比如用到车的主驱、固态变压器 SST ——这样的检测设备满足不了要求。

目前碳化硅、氮化镓器件还主要集中在中低压 1200V、1700V 范围，未来都要向高压发展。高于 1700V 的器件市场会迅速成长，而这块的国产测试设备基本上还是空白，这是一个巨大的增长空间。高压动静态测试对产线来说非常有挑战性，没有很好的技术储备和根基，很难做出优质产品来满足客户需求。

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