长鑫 LPDDR6 旗舰手机首发量产

长鑫存储自主研发的 LPDDR6 芯片已实现量产商用，首发搭载于小米 18 Fold   折叠旗舰手机，这是全球范围内 LPDDR6 产品首次在旗舰手机端落地商用。该款产品芯片容量为 16GB，最高传输速率可达 12800Mbps，与 SoC 搭配速率为 10667Mbps，可为   SoC   提供充裕的数据带宽，满足旗舰级智能手机及高性能终端设备对计算能力的严苛需求。

此次长鑫量产的 LPDDR6 单颗粒容量为 16Gb，封装芯片容量达 16GB，遵循 JEDEC LPDDR6 标准，采用 1295 Ball FBGA 全新封装。该芯片最高传输速率可达 12800Mbps，与速率 10667Mbps 的 LPDDR5X 相比，带宽提升 60%*。该产品的功耗相比上一代的 LPDDR5X 降低了 20%*，能够有效延长移动设备的续航。

* 性能对比源自内部测试数据，其中 60% 带宽提升基于产品的峰值带宽对比。

此次长鑫 LPDDR6 的研发及量产背后涉及多项创新：

在设计方面：采用双子通道架构，常规模式下配置 24bit 原生 I/O，其高速接口支持每路信号引脚独立调校预加重（pre-emphasis）、信号均衡（DFE）参数，配合智能训练机制，充分保障高速传输下的信号准确性与运行稳定性。在能效管理方面，LPDDR6 采用了双轨 DVFS 的设计，该设计提供了硬件层面的电压分离能力。同时，LPDDR6 也引入动态效率模式，实现策略调度。这些功能支持 LPDDR6 在不同负载下始终保持最佳能效比，为兼顾高算力与长续航的移动设备提供了灵活的内存支撑。在可靠性方面，LPDDR6 在原有 Link ECC、On Die ECC 基础上，新增每行激活计数（PRAC）防止行锤攻击，以及内建自测试（MBIST）等功能，以多重机制保障数据完整性与系统稳定性。

工艺设计协同创新：通过工艺与设计的协同创新，针对 CMOS   区域的关键电路和设计规则 LDR   进行了超过 100 项深度优化和创新， 成功制造出尺寸更小，性能更优的 CMOS   晶体管，支撑了产品性能高带宽低功耗的升级需求。

在封装方面：此次后道封装采用的是 1295 Ball 的 FBGA 封装，由于该封装的焊球面积相对 LPDDR5 的 496 Ball 大 50%，制造难度也同步提升。在塑封环节长鑫采用了高导热型 High K EMC（高导热环氧塑封料）对芯片整体进行包覆保护，可使颗粒热阻下降 40% 左右，大幅改善 LPDDR6 高负载运行时的热量导出效率，充分保障颗粒性能稳定发挥。

当下，高性能、低功耗内存需求持续增长。LPDDR6 作为最新一代低功耗高速率产品，未来落地场景涵盖手机、电脑、智能汽车、边缘服务器、智能穿戴设备和机器人等领域。

长鑫存储此次成功推出 LPDDR6，是公司在高端存储自主研发中的重要里程碑。该产品目前正加速商业化与规模化应用，公司将持续优化其性能表现、丰富产品线组合，携手产业链伙伴，共同推动 LPDDR6 内存技术在更广泛智能场景中落地。