IT 之家 9 月 8 日消息，消息源 @LaidBackDev_ 于 9 月 6 日在 X 平台发布推文，分享了一张安卓最强 2nm 芯片高通第六代骁龙 8 超级至尊版（Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6，型号 SM8975）的芯片实物图。

根据曝光的图片细节，第六代骁龙 8 超级至尊版封装面积要大于第五代骁龙 8 至尊版芯片，并非单纯扩大计算单元，增加的封装面积主要来自新的散热结构。

报道指出，传统 PoP（封装堆叠）方案通常将 DRAM 直接放在 SoC 上方。这种做法有助于缩小主板占用空间，但内存与处理器热量会集中在同一位置。

而第六代骁龙 8 超级至尊版将 DRAM 从 SoC 顶部移到侧边，并加入散热片，类似于三星在 Exynos 2600 芯片采用的 Heat Pass Block（热传导模块）思路。

HPB 全称为 Heat Path Block，是三星在 Exynos 2600 芯片中引入的散热技术，通过铜基散热块直接接触应用处理器（AP），利用铜的高导热性迅速传导芯片热量至散热结构，从而降低芯片温度、提升性能稳定性。

科技媒体 Wccftech 认为通过侧置 DRAM 单元，并配合散热片，这种方式可以降低内存与 SoC 之间的热量累积，让 CPU 和 GPU 在更长时间内保持较高频率。IT 之家附上相关图片如下：

细节方面，芯片照片可见 "SM8975" 和 "101-BC" 标识。Wccftech 据此判断，该版本预计支持 LPDDR5X 内存，而不会采用速度更高、能效更优的 LPDDR6。