钛媒体 App 9 月 8 日，荷兰光刻机制造商（ASML）与宣布成立行业合作计划，推动高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）光罩从目前的 6 英寸向 12 英寸升级，以提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本并消除拼接限制。双方计划于 2031 年建立 12 英寸光罩试产线，并推动 12 英寸高 NA EUV 光刻系统于 2033 年进入先进制程量产。预计自 2030 年起在先进制程大规模生产中采用 ASML 高 NA 技术。（广角观察）