9 月 7 日，" 破界 · 启新——碳化硅前沿技术分享暨碳化硅超级结 MOSFET 成果发布会 " 在上海举行。本次发布的核心成果，源自瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司（简称 " 瑶芯微电子 "）与中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队在碳化硅超级结技术上的深度产学研合作。

双方历时五年联合技术攻关，协同晶圆代工厂芯联集成电路制造股份有限公司（简称 " 芯联集成 "）进行工艺平台开发，率先实现该前沿技术从实验室走向产业化的突破。现场，瑶芯微电子正式发布全球首款碳化硅超级结 MOSFET ( 金属氧化物半导体场效应晶体管）产品。此次全球首发，意味着中国厂商在下一代碳化硅技术竞争中，迈入从 " 跟随对标 " 走向 " 原创突破 " 的全新阶段。

碳化硅前沿技术分享暨碳化硅超级结 MOSFET 成果发布会现场

产学研联合攻关，啃下超级结这块 " 硬骨头 "

功率器件是电能转换、控制与调节的核心芯片，是电力电子装置的基础。

碳化硅功率器件利用宽禁带半导体（又称 " 第三代半导体 "）碳化硅材料制备，具备高耐压、低损耗、耐高温以及高频特性的优势，是实现电能高效转换的核心载体。目前已成为新能源汽车、数据中心 800V 供电架构、光伏储能、特高压输电等产业发展的核心关键器件。

根据市场调研机构 Yole 集团的数据，2025 年全球碳化硅功率器件市场规模约 37 亿美元，预计到 2030 年将突破 100 亿美元。市场竞争格局方面，目前碳化硅功率器件由海外公司主导，占据了全球约 80% 的市场份额，本土厂商正在加速突围。

现阶段，碳化硅功率器件主要包括平面型 MOSFET 以及沟槽型 MOSFET。为进一步提升器件的功率密度与转换效率，超级结 MOSFET 技术被业界公认为下一代突破方向。

" 最近几年，无论学术界还是产业界都亟需寻找下一个 10 年的技术路线，碳化硅超级结技术虽然已被广泛研究，但面临的很多技术瓶颈仍未攻克。历经艰苦攻关，我们在接二连三的问题中迎难而上，找到了解决方案并最终实现了产业化落地。" 瑶芯微电子创始人、董事长郭亮良博士说。

郭亮良毕业于西安电子科技大学微电子学和固体电子学专业，师从郝跃院士，有近 20 年半导体从业经验。2019 年，郭亮良创办瑶芯微电子，深耕功率器件和传感器芯片领域。2021 年，瑶芯微电子与郝跃院士团队展开联合攻关，双方团队紧密配合，最终使碳化硅超级结完成从实验室技术到产品化的跨越。

碳化硅超级结 MOSFET 产品

随着产学研合作的不断深化，瑶芯微电子与西安电子科技大学陆续建立了 " 车载碳化硅功率器件联合实验室 "、" 产学研合作基地 " 以及 " 研究生实践教育基地 "，实现技术创新、产业应用与人才培育的深度融合。

发布会现场，郝跃院士团队的碳化硅项目带头人、西安电子科技大学教授贾仁需站在全球视野分享了对碳化硅技术发展趋势的洞察。在回顾攻关历程时，他指出，碳化硅超级结器件研发面临三大全球性难题。一是 " 算不准 "，理论模型与实际工艺难适配；二是 " 找不到 "，复杂结构参数控制多区域电场难协同；三是 " 做不出 "，工艺波动导致结构设计难实现。

正是这三重困境长期制约着该技术的产业化进程。而通过产学研团队的深度协同，联合晶圆代工厂进行工艺开发，这些瓶颈被逐一攻克，最终实现了从 " 实验室概念 " 到 " 工程化产品 " 的跨越。

西安电子科技大学教授贾仁需分享碳化硅前沿技术

" 在微米世界里盖高楼 "，超级结如何大幅提升产品性能

超级结技术到底是什么？瑶芯微电子联合创始人、CTO 陈开宇打了个比方：功率器件类似一座电闸，闸门打开时电流需要宽大顺畅的通道，减少损耗；闸门关闭时，要靠半导体材料扛住高压电流，防止击穿。通道越宽，高压越容易横向渗透击穿两侧材料；而通道越窄，电流阻力变大，损耗增加，转换效率变低。

超级结技术的思路是，在主通道两侧建造一排排交替排布的 " 承重柱 " —— P 型柱与 N 型柱。当器件承受高电压时，原本集中的电场被这些柱子共同分担、相互抵消，电场分布趋于均匀。主通道无需收窄，就能扛住更高电压。

" 但这绝不是简单‘多加几根柱子’，而是一架精密天平：P 柱与 N 柱两侧的电荷必须精准平衡，哪怕极小偏差，也会打破电场分布，影响器件耐压和性能。制造过程就像‘在微米世界里盖一栋高楼’。"，陈开宇说。

瑶芯微电子联合创始人、CTO 陈开宇进行产品介绍

实测数据显示，该产品实现 1635V 超高耐压，高温、常温导通电阻大幅优化，高温电流密度较国际顶级水平提升 166%，功率密度提升 81%，逼近碳化硅材料一维物理极限，同时解决了器件高温性能漂移难题。其将 1200V 碳化硅功率器件的综合性能推升至新的高度，实现了从国产替代到原研创新的重大突破。

陈开宇在发布会现场指出，在应用端，碳化硅超级结技术带来的不只是器件性能的提升，更是系统级的变革。首先，显著提升器件在高温下的功率密度，带来模块设计和电路架构的变革，助力新能源汽车主驱、车载电源、AI 服务器电源等应用。其次，突破 3300V 以上高压大电流器件的技术瓶颈，实现在数据中心固态变压器以及电网装备等场景中的应用。最后，芯片面积显著缩小，叠加 8 英寸晶圆制造的优势，可以大幅降低单芯片成本，为客户提供更高性价比的产品。

从跟随到原创，中国碳化硅开启新篇章

" 瑶芯微电子推出的 1200V 碳化硅超级结 MOSFET，属于全球范围内率先完成产品化验证的碳化硅超级结器件。" 郝跃院士评价说。

该器件的落地需攻克多重关键技术，深层意义在于技术发展方式的转变：过往碳化硅器件的技术路线与产品规格由海外企业主导，国内多围绕成熟器件结构开展国产替代。超级结属于下一代器件结构，国内科研与产业团队将原理性技术突破转化为工程化产品，意味着我国已具备参与下一代功率器件技术路线竞争的能力。国产替代是现阶段基础任务，掌握原创器件结构、参与产品定义，则是产业迈向更高水平竞争的重要标志。

目前，瑶芯微电子围绕新能源汽车全场景、数据中心 800V 供电架构全链路等核心应用领域，构建了功率器件系统级解决方案。公司的功率器件产品已进入多家全球领先的汽车电子以及 AI 数据中心电力电子客户，深度绑定全球头部客户群，在多家头部客户中实现了国产替代。并且，公司精准把握碳化硅晶圆从 6 英寸向 8 英寸升级的关键窗口期，在国内率先实现 8 英寸碳化硅 MOSFET 量产。

在量产方面，瑶芯微电子已与晶圆代工厂芯联集成紧密合作，首批客户将面向对功率密度要求严苛的数据中心高压直流供电系统以及 AI 服务器电源等领域。

如今，碳化硅超级结正开启全新的技术篇章。海外头部企业均将碳化硅超级结定位为 2027 年至 2031 年的下一代主力技术路线。此次国产碳化硅超级结 MOSFET 的产品化落地，意味着在下一代技术起跑线上，中国厂商已占得先机。