快科技 9 月 10 日消息，据韩国《朝鲜日报》报道，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽内存 HBM3 的试产，但初期良率迟迟无法突破，停留在 25%   的水平。暗讽 4 个里 3 个是废品。

该媒体同时高调吹捧 SK 海力士同款产品，并称 SK 海力士自 2022 年起量产同类 HBM3 产品，良率已超过 90%。半导体行业公认的量产黄金良率为 80%，长鑫存储目前仅达到其三分之一。

韩媒将问题根源指向 TSV 硅通孔技术。报道指出，长鑫存储用于 HBM 的 G4 工艺制造的普通 DRAM 本身没有大问题，真正的瓶颈在于 TSV。

TSV 是在 DRAM 芯片堆叠时，在每一层钻出数千个微米级小孔并填入铜，实现垂直电气连接。孔一旦偏移或填充不完整，整层芯片即告报废。

报道援引业界数据称，长鑫存储每颗芯片的 TSV 数量约 3000 个，而三星 HBM2 超过 5000 个，SK 海力士 HBM3 超过 8000 个。韩媒借此强调韩企在 TSV 工艺上的领先。

韩媒还引述业内人士称，TSV 的工艺诀窍不是一朝一夕能积累的，三星和 SK 海力士在这方面已有 4 至 5 年的领先优势。

不过报道也承认，长鑫存储正将少量 HBM 样品供应给寒武纪等中国企业，在持续改善良率的同时推进商业化进程。

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