高盛发布研报称，维持英诺赛科（02577）" 买入 " 评级，基于 2030 年预测折现 EV/EBITDA 估值，30.1 倍目标估值倍数根据可比公司的交易 EV/EBITDA 倍数，相对于英诺赛科未来一年 EBITDA 同比增速及 EBITDA 利润率得出，12 个月目标价为 114 港元，以 9 月 8 日收盘价 43.20 港元计，对应 163.9% 的上行空间。

该行在中国 AI 巡回路演期间于 9 月 7 日在苏州与英诺赛科管理层交流，重点讨论数据中心 GaN 采用及产品扩展、GaN 晶圆 / 器件 / 模块业务模式，以及潜在竞争等。该行对英诺赛科覆盖 15V 至 1200V 的全面 GaN 产品组合及多元终端应用保持积极看法。

管理层指出，公司已加快 GaN 产能扩张，目标在未来几年将 GaN 产能提升至每月 7 万片晶圆，以把握汽车和数据中心应用不断增长的 GaN 需求，以及中长期机器人领域的 GaN 需求。管理层表示，目前 GaN 在数据中心的采用仍处于早期阶段，公司仍在探索业务模式，包括与功率器件供应商合作，或直接与云服务提供商（CSP）客户建立合作关系。

管理层表示，GaN 产品主要用于 800 VDC 机架电源架构的三个阶段，包括 800V 至 54V、54V 至 12V，以及 12V/6V 至 1V，其中最后一级的低压产品具有更高的价值量。针对最后一级，公司已开发用于 AI GPU 从 6V 至 1V 供电的 15V DrGaN 产品，并已完成客户送样，可实现更高的开关频率、更高的转换效率，同时减少 BOM 元件数量。

该行看好英诺赛科作为早期入场者，凭借已积累的技术经验，在英伟达新架构开始放量爬坡时把握增长机会。