在 AI 服务器供配电向高压、高效、高功率密度、高可靠性演进的进程中，单一器件已难以满足系统需求，能否提供经过验证、可量产、供应稳定的全链路方案，成为衡量半导体厂商综合实力的重要维度。安世中国定位 "AIDC 半导体能源基座领导者 "，以 ICS、Power、BIP 三大产品线协同，构建了覆盖 AI 供配电全场景的完整产品矩阵。

在 ICS BG 逻辑器件领域，安世中国产品覆盖 UPS、储能 BMS、SST 及服务器供电。逻辑器件采用 12 英寸自研 CMOS 逻辑工艺，具备 BONA 有源区键合结构、3 倍可靠性裕量，并通过 TDDB、HCI、EM、HTRB 等全项可靠性测试。具体产品包括 74LVC1G08GW 单路 2 输入与门，SOT-353 封装，适用于紧凑 AFE 板单点使能；74AHC595PW 为 8 位串入并出移位寄存器，用于 UPS 状态扩展、BMS 电芯均衡选通、SST 多路驱动扩展；74LVC08APW、74HC08D 为多路与门，用于切换门控、保护门控；74HC02D 为或非门，用于故障安全链取反、关断复位与故障锁存；HCS 系列输入带施密特触发器，在强电磁干扰环境下抗噪能力优于标准 HC 系列。

在 Power BG 功率器件领域，六款主推 MOSFET 覆盖 25V 至 80V，适用于 PSU 次级同步整流和 OR-ing，其中 25V 系列导通电阻不到 1m Ω，30V 系列为 1m Ω 级，40V 至 80V 系列兼顾耐压与低导通电阻。SiC 模块包括 NT06T12Y2M1、NT04T12Y2M1、NT06T23Y2M1，均为 1200V 耐压，采用 Easy2B 模块，覆盖 SST 固态变压器整流、隔离、输出三级架构，已提前布局。IGBT 覆盖 650V 和 1200V 两大电压等级，多种电流规格，封装覆盖 TO-247-3、TO-247-4HC、TO-247-4HC-Plus。

在 BIP BG 小信号器件领域，安世中国形成了完整生态。PMEG 肖特基导通压降低至 0.25V，比硅二极管损耗低 30% 至 40%，助力 PSU 达 97.5% 钛金效率；PTVS 系列 TVS 最高 1500W 耐受，响应小于 1ns；BZT 系列稳压管精度 ± 2%，覆盖 2.7V 至 43V；PESD 系列 ESD 具备 ± 15kV 防护与小于 1pF 超低电容；BC 系列 NPN 三极管低饱和压降小于 0.2V，共 120 款型号；BAS 系列开关二极管 trr 低至 1 至 4ns，耐压 75V 至 100V。

安世中国基于 12 英寸工艺平台，在成本、参数、可靠性和质量稳定性方面具备综合优势。逻辑器件、功率 MOSFET、IGBT 及小信号器件均已具备国产供应链交付能力，三大产品线的协同使客户得以在同一体系内完成从控制、驱动、功率转换到保护、逻辑、小信号的完整选型。这种全链路能力不仅降低了电源厂商的供应链管理复杂度，也提升了方案验证效率，为算力基础设施的规模化建设提供了稳定的器件基础。

在当前全球半导体供应链波动加剧的形势下，具备完整产品矩阵与稳定国产交付能力的本土厂商，正为算力基础设施供应链安全构筑坚实防线。从控制器、驱动到功率转换、保护、逻辑与小信号，安世中国以全链路产品矩阵覆盖 PSU、UPS、储能 BMS、SST 等关键场景，为 AI 服务器供配电提供一站式选型方案，并以国产供应链稳定交付能力，支撑我国算力基础设施高质量发展。