中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，有利于提高半导体结构的良率

市场资讯 2026-09-15 10:51:20

国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 ; 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为 " 半导体结构及其形成方法 " 的专利，公开号 CN122765959A，申请日期为 2025 年 3 月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括衬底、以及凸立于衬底的沟道结构，多个沟道结构沿第一方向延伸且沿第二方向平行排布，第一方向垂直于第二方向；叠层栅结构，位于基底上，多个叠层栅结构沿第二方向延伸横跨多个沟道结构顶部且沿第一方向平行排布；空气隙，位于沿第二方向相邻的沟道结构之间的基底中。本发明有利于提高半导体结构的良率。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于 2002 年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 100000 万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了 1 家企业，参与招投标项目 49 次，专利信息 8231 条，此外企业还拥有行政许可 232 个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于 2000 年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 244000 万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了 4 家企业，参与招投标项目 120 次，财产线索方面有商标信息 234 条，专利信息 15089 条，此外企业还拥有行政许可 486 个。

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