（来源：网易科技）

在 AI 算力需求爆发和数据中心扩张的双重驱动下，存储芯片已超越逻辑芯片和晶圆代工，成为全球半导体产业增长最快的细分领域。2025 年，全球存储芯片市场规模首次超越晶圆代工，成为半导体产业的 " 一哥 "。当前存储产业正处于政策驱动与需求爆发的双重红利期。美国出口管制持续升级，国产替代已从 " 可选项 " 变为 " 必选项 "。

近日，集微咨询（JW Insights）正式发布《2026 年存储行业研究报告》（以下简称《报告》），从存储芯片市场概况、存储技术发展趋势、存储产业链分析、AI 驱动的存储产业变革、政策环境与国产化进展、产业图谱六大方向切入，全景扫描全球及国内存储产业现状，解读 AI 算力带动的存储结构性机会，复盘国产化落地情况，并绘制覆盖上下游主体的完整产业图谱，为产业界与投资界提供全链路的年度参考。

以下是《报告》内容精选：

存储产业步入 " 超级增长周期 " 中国市场迎来结构性机遇

全球存储产业正经历 AI 驱动的 " 超级增长周期 "，市场规模实现跨越式增长。根据 TrendForce 数据，2026 年全球存储市场规模达 5,516 亿美元，2027 年进一步增至 8,427 亿美元，2025-2027 年年化增速达 89.2%。WSTS 预测 2026 年全球集成电路市场规模接近翻倍，其中存储器市场规模同比大增约 249.5%。存储芯片收入将占全球半导体总营收的 50% 以上，历史性地超越逻辑芯片成为半导体产业第一大品类。

中国市场方面，2024 年全球存储产能中中国占 24%（韩国占 45%）。2026 年中国存储市场规模约 1,000 亿美元，占全球 18%，既是最大生产基地也是核心消费市场。2025 年中国存储芯片相关企业注册量同比激增 41.4%。中国企业级 SSD 市场 2024 年规模达 62.5 亿美元，同比大增 187.9%，占硬盘驱动器市场比重从 58.3% 升至 79.8%，2024-2029 年复合增速达 22.7%。

存储产业链拆解：上游国产化持续爬坡，中、下游本土厂商多点突破

《报告》指出，存储芯片产业链可分为上游支撑、中游制造和下游应用三大环节。上游包括半导体材料、设备和 EDA/IP，是产业发展的基础；中游涵盖芯片设计、晶圆制造和封装测试，是产业链核心环节；下游为模组制造、系统集成和终端应用，直接面向市场。

上游环节包括半导体材料（硅片、电子特气、光刻胶、CMP 抛光材料、湿电子化学品等）、半导体设备（光刻机、刻蚀设备、薄膜沉积设备、离子注入设备等）以及 EDA 软件和 IP 核。当前国产化率偏低，核心设备、特种材料及底层专利生态仍存在显著代差。半导体设备国产化率正从 20%-30% 稳步向 50%-60% 迈进。

中游是存储产业链核心环节，包括芯片设计、晶圆制造和封装测试。存储芯片制造主要采用 IDM 模式，长江存储和长鑫存储为国内两大 IDM 龙头。中芯国际提供 28nm 及以上成熟工艺代工配套，华虹半导体覆盖 90nm-28nm 特色工艺。

芯片设计方面，澜起科技 DDR5 内存接口芯片全球同步领先，支持 8000Mbps；兆易创新 NOR Flash 国内第一，利基 DRAM 量产；紫光国芯推出 CXL 主控芯片和第四代 SeDRAM 3D 堆叠技术；北京君正在车规级 SRAM/DRAM 领域占据全球重要份额；国科微 SSD 控制器芯片支持 PCIe 4.0，读写超 7000MB/s。

下游环节包括存储模组制造、封测服务和系统集成。模组企业方面，江波龙是国内第三方存储模组龙头，2025 年前三季度营收 167.34 亿元（+26.12%）；佰维存储覆盖嵌入式存储和 PCIe SSD 模组，AI 服务器 CXL 内存验证中；香农芯创为企业级 SSD 龙头，与 SK 海力士深度合作，2025 年营收增 50%；大普微专注企业级 SSD，支持 PCIe 4.0/5.0；德明利自研 SSD 主控芯片，实现全国产化工业级 SSD。

封测企业方面，长电科技作为全球领先封测企业，2025 年上半年存储业务收入增长 150%；通富微电绑定长鑫存储，成为 DRAM 封测核心供应商；深科技提供存储芯片封测和模组代工综合服务。先进封装方面，HBM 的 2.5D/3D 封装由 IDM（三星、长鑫）与 Foundry（台积电、中芯国际）占据 90% 以上份额，盛合晶微、通富微电、长电科技等大陆厂商在中端先进封装市场占有一定份额。

国家支持力度不断加大 国产存储双雄 " 狂飙 "

国家层面对存储产业支持力度持续加大。税收优惠方面，线宽小于 28nm 的存储企业可享受十年免征企业所得税。十五五新型算力基础设施投资预计超 5 万亿元，存储作为算力底座获重点支持。国家集成电路产业投资基金三期已完成募资，规模超 3,000 亿元，重点投向存储芯片、先进制程和半导体设备。2026 年 7 月，工信部、国家发改委等七部委联合印发《2026-2028 年全国算力基础设施建设行动方案》，工信部明确提出国内 DRAM、NAND 的自给率提升目标。

地方层面，上海、北京、合肥等半导体产业集聚地出台存储产业专项补贴政策，对长鑫存储、长江存储等龙头企业的产能扩建项目给予高额度设备补贴，对存储芯片设计企业的研发投入给予大幅税收优惠。2026 年全球九大云厂商资本开支达 8,300 亿美元（同比 +79%），进一步拉动存储需求。

从国产双雄进展来看，长鑫存储 2026 年 Q1 营收 508 亿元（同比 +719.13%），归母净利润 247.62 亿元。Q2 全球 DRAM 份额首达 10%，营业利润率 82% 居全球第一。芯片核心性能与国际一线产品差距不足 5%。5 月 27 日科创板 IPO 过会，拟募资 295 亿元。正加速推进 HBM3 样品研发，预计 2026-2027 年量产，有望成为全球第四家 HBM 供应商。

长江存储 2026 年 Q1 营收超 200 亿元（同比 +100%），全球 NAND 份额 13%-15% 跃居第三，已启动 IPO 辅导。自研 Xtacking 架构实现 294 层 3D NAND 量产，向 400 层突破。三星电子已与长江存储签署混合键合技术专利许可协议，标志着国产存储技术获得国际认可。

目前，《2026 年存储行业研究报告》已在集微网官网与 APP 正式上线，欢迎登录集微网官网或集微 APP，在首页点击 " 集微报告 " 栏目，即可进行订购。

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