快科技 9 月 16 日消息，韩国半导体产业协会首次量化了中国存储芯片与韩国的技术差距：NAND 闪存仅落后 1 年，DRAM 落后 2 年，HBM 落后 3 年，此前这一差距长期维持在 5 年左右。

NAND 方面，三星和 SK 海力士 2025 年开始量产 300 层 NAND，长江存储同期量产 270 层，到 2027 年，长江存储将跃升至 400 层，与三星和 SK 海力士的差距收窄至 1 年左右。

DRAM 方面，三星和 SK 海力士 2023 年开始量产 DDR5，长鑫存储 2025 年才跟上，差距约 2 年，但长鑫存储已经在量产 LPDDR5X，并启动了 LPDDR6 的生产。

HBM 是差距最大的领域，目前落后约 3 年，长鑫存储刚启动 HBM3E 模块的试产，良率仅约 25%，在 TSV 硅通孔工艺上仍面临挑战。

值得注意的是，长鑫存储采用长江存储的 X-Stacking 3D NAND 方案在 G4 工艺上构建 HBM3E 堆叠，不依赖传统微凸点，而是利用长江存储的铜铜混合键合技术，将晶圆间铜互连直接合并，缩短堆叠 DRAM 层之间的电路路径。

这一架构的关键优势在于，长鑫存储和长江存储无需 EUV 光刻机就能制造出有竞争力的 HBM 产品。

产能扩张方面，长鑫存储正以每月 30 万片晶圆的规模急速扩张，通过三座月产能约 10 万片的 300mm DRAM 晶圆厂在今年底达成目标。到 2026 年底，长鑫存储还将拥有月产 5 万片的 HBM 专用产能。

此外，长鑫存储正在上海和合肥各建一座新厂，建成后总产能将提升至月产 60 万片，有望在 2030 年按产量超越美光。

长江存储方面，产能预计在 2027 年初达到月产 30 万片，部分产能用于 LPDDR，两座新厂 2027 年投产后，到 2028 年总产能将达月产 45 万至 50 万片，而三星到 2027 年底 NAND 产能为月产 35 万片。

工艺技术上，长鑫存储正在 G4 DRAM 工艺（普遍认为属于 1z 节点）和 LPDDR5X 产品上应用 HKMG（高 K 金属栅极）技术，用氧化铪（HfO ₂）替代传统硅基绝缘材料，降低漏电和废热，提升能效并为更高频率铺路。

HKMG 的应用意味着长鑫存储即将从 1z 节点向更先进的 1a 节点过渡，而其下一代 15nm G5 DRAM 工艺已在开发中。

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