关于 "AI 放缓论 " 众说纷纭之际，韩国存储龙头 SK 海力士再传重磅消息。

据知情人士透露，SK 海力士正在与英特尔洽谈合作协议。一旦谈成，SK 海力士将首次在美国本土生产存储芯片。

受此消息催化，周三韩股收盘，SK 海力士收涨 4.08%。美股夜盘交易中，SK 海力士 ADR、英特尔均涨超 3%。

首次在美生产存储芯片

具体来看，本次合作主要有两种方案。

其中一种方案是 SK 海力士将租赁英特尔俄亥俄州工厂的部分厂区；另一种备选方案是 SK 海力士与英特尔以及大型云厂商成立合资企业。

不过，最终会生产 DRAM、NAND 还是 HBM，目前仍是未知数。

SK 海力士回应称，公司 " 正在评估各类方案，包括增设生产基地，以强化存储业务竞争力 "，但 " 现阶段尚未敲定任何事项 "。

值得注意的是，首尔的态度被视为最大变数。

消息人士称，任何涉及 HBM 甚至 DRAM 等先进存储技术的生产协议，都可能被视作敏感技术而遭韩国政府反对。

韩国产业部表示，相关决定由企业自主作出，但若涉及 " 国家核心技术 "，将依据《产业技术保护法》接受审查。

此外，在美国建厂的成本远高于韩国：人工与建设成本显著更高，且半导体供应链多集中于亚洲，进一步推高了本土生产成本。

Counterpoint Research 测算，综合土地、水电、法规等全部成本，在美国建一座半导体厂的总投入大约是韩国的两倍。

SK 集团会长崔泰源直言，在美国，土地、电力和水都很贵，监管也很严格。

但是，面对客户和各国要求增加芯片供应的压力，崔泰源表示：" 我认为我们需要在美国建厂，条件允许的话就应当落地建设。"

市场分析认为，这笔交易能让 SK 海力士在需求最旺的关口贴近美国客户、对冲关税与地缘风险，同时盘活英特尔的闲置产能。

不过，同时取悦华盛顿与首尔并不容易。

据悉，两国还在为韩国去年承诺的 3500 亿美元投资落地争执不下，其中约 1500 亿已划入造船领域，剩余 2000 亿美元用途未定。

消息人士称，这令 SK 海力士陷入两难：首尔希望将其在美投资作为谈判筹码，华盛顿则施压公司尽快敲定美国扩产计划。

存储荒将持续到何时？

合作传闻发酵之际，SK 海力士与工会的拉锯刚刚画上句号。

周三，生产岗员工以 57.08% 的支持率通过了修订后的劳资协议，约 1.53 万名会员参与投票，8731 票赞成、6566 票反对。

新协议将利润分红奖金的现金比例从 40% 提高至 50%，员工还可按 10 个百分点为单位将现金转为股票，最多可全部以股票形式领取。

协议还正式确定，当公司出现亏损时，可实行部分薪资延期发放。

SK 海力士称，该条款体现管理层与员工约定，在盈利年份共享收益，在行业下行阶段共担责任。

劳资之争背后，是持续紧绷的存储供需。

KB 证券警告称，三星与 SK 海力士的内存库存已降至 10 天以下，明年可能出现 " 史无前例 " 的短缺。

花旗在最新报告中表示，随着 AI 从基础训练与推理阶段迈入 " 持续学习 " 阶段，HBM、服务器 DDR5 及企业级固态硬盘的需求将从 2027 年起迎来爆发式增长。

该行预计，DRAM 供需比将在 2027、2028 年分别走弱至 -8.7% 与 -9.7%；同期 NAND 供需比回落至 -6.1% 和 -5.5%，供需失衡局面或将延续至 2031 年。

摩根士丹利维持对 SK 海力士的增持评级，目标价设定为 260 万韩元。

该行将 2027 年云计算资本开支增速预测从此前的 14% 上调至 29%，AI 算力需求仍是存储周期的重要结构性支撑。

不过，与花旗不同的是，摩根士丹利认为，DRAM 与 NAND 合约价格持续上涨，但环比增速已较峰值回落，预计存储行业将在 2026 年第四季度进入周期尾声阶段。

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