财联社 9 月 16 日讯（编辑 马兰）SK 海力士据悉正考虑在美生产存储芯片，可能与英特尔达成潜在合作。

知情人士透露，SK 海力士与英特尔就在美国境内首次生产存储芯片的潜在合作展开谈判，讨论的方案之一是 SK 海力士租用英特尔位于俄亥俄州芯片制造设施的部分产能，另一种合作则涉及合资企业。

目前谈判仍处于初步探索阶段，两家公司尚未作出任何决定，也不曾确定在俄亥俄州生产何种类型的存储芯片。SK 海力士目前主要生产 DRAM 和 NAND 闪存，同时也是人工智能处理器所用 HBM 的领先供应商。

受此消息影响，SK 海力士股价周三在韩国市场上涨，收盘涨幅为 4%，表现优于韩国大盘指数 Kospi，后者周三上涨 1.37%。

合作的意义

知情人士透露，若在美国生产 HBM 或 DRAM 等先进存储芯片，可能面临韩国首尔方面的审查，因为上述技术被视为敏感技术。

韩国贸易部此前表示，相关决定将由 SK 海力士自行决定，但涉及国家重要技术的项目可能需要依据韩国《产业技术保护法》接受审查。

而在 7 月时就有消息称，SK 海力士可能收购英特尔在俄亥俄州的工厂，但该消息被两家公司双双否认。当时业内人士指出，俄亥俄州仍然是英特尔代工业务的核心，因此不可能出售。

租用部分产能或者建立合资企业则避开了这一敏感问题，且扩大了 SK 海力士在美国的制造规模，有助于该公司争取特朗普政府的支持。对英特尔而言，这一合作则可以缓解该公司的财务压力。

此前，美国政府向包括半导体产业在内的多个领域施压，要求扩大在美的制造规模。与此同时，人工智能及数据中心需求激增也引发了存储芯片短缺问题，迫使 SK 海力士和三星电子不断扩张其产能。

SK 海力士今年已完成了美股 ADR 上市，并正在美国印第安纳州建设一座芯片封装工厂。该公司董事长崔泰源今年 7 月表示，公司有必要在美国建立工厂。

阅 8778 特别声明：文章内容仅供参考，不构成投资建议。投资者据此操作风险自担。