据韩媒 The Elec 9 月 15 日报道，三星电子决定将 DDR5 内存模组与 SSD 新增产能全部交由 OSAT 外包伙伴承接，天安、温阳封装厂腾挪出的空间与设备，将整体转向 HBM 等先进封装产线。表面看，这是一次产能 " 收缩 "，但置于 AI 存储超级周期与三星 HBM 反攻的背景下，其本质是一次以后段资源再分配为核心的战略转换。
三星电子 HBM4 （图片来源：Samsung Electronics）
01
后段空间限制逼出来的 All in
三星选择让渡传统模组产能，根源在于后段厂房空间受限：温阳新开建的 HBM 专用厂尚需数年才能完工；越南太原新后段厂仅承接 DDR4、LPDDR4、NAND、UFS 等旧制程测试。在 HBM4 客户认证窗口期稍纵即逝的当下，每一平方米先进封装洁净室都对应着显著的机会成本。
若将这一动作置于三星 HBM 反攻的大背景下审视，其战略逻辑便更加清晰，也更顺理成章。
Counterpoint Research 数据显示，三星 HBM 收入份额已从 2025 年第二季度的 15% 跃升至 2026 年第二季度的 33%，与 SK 海力士的差距收窄至 17 个百分点；同期 SK 海力士份额从一年前的 64% 回落至 50%，美光小幅回落至 18%。
Q2 2025-Q2 2026 全球 HBM 市场按收入划分的份额
（图片来源：Counterpoint Research）
三星于 2026 年 2 月率先量产 HBM4，近期又接连拿下 OpenAI "Titan" 定制芯片 800M Gb 独家供应、AMD MI450/MI455X 主要供应等关键订单；第二季度 DRAM 营收环比增长 63.4% 至 609.8 亿美元，稳居全球 DRAM 市场首位。
由此看，将传统模组产能 " 外部化 "，本质上是把内部每一寸先进封装资源集中投向 HBM4/HBM4E。
02
印度、越南、菲律宾接棒
据韩媒 The Elec 援引两位业内人士称，三星自 2025 年 6 月起即要求合作厂商扩大 DDR5 通用模组与 SSD 产线投资，2026 年进一步推动对方提前原有的扩产计划。目前落子已清晰可辨：
Dreamtech（茂纶）：
印度诺伊达 1 厂由手机基板组装（PBA）改造为 DDR5 模组大厂，2025 年 11 月已量产，2026 年 6 月批准设备投资，本月完工，终期年产能超5000 万只；
Hanyang Digitech：
越南厂上半年投入约 315 亿韩元，引入新设备并推进工序自动化；
SFA Semicon：
将三星温阳厂区原有的 DDR5 测试与模组组装设备转移至菲律宾厂，今年 11 月一期、明年二季度二期投产，形成 " 天安做 FBGA 封装—菲律宾做终测与模组 " 的分工。
03
通用存储的价格伏笔
对传统 DDR5/SSD 市场，原厂主动放弃自建后段扩产，短期并不必然意味着供给收缩，但原厂意愿下降可能在 2027 年通用存储供需紧平衡中成为价格变量，值得模组厂与系统客户关注。
对 OSAT 板块，这意味着三星系订单的长期化与海外化——印度、越南、菲律宾正在承接韩国本土溢出的后段产能，与三星 " 韩国做 HBM、海外做通用 " 的分工模型吻合。
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撰文 / 校对 | Ethan
配图 / 排版 | Max
审 核 | Carina、Alan
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