《科创板日报》16 日讯，近日，宁波领开半导体技术有限公司（下称 " 领开半导体 "）完成 A+ 轮融资，投资方为三花弘道投资、德同资本、辰韬资本。本轮融资金额未披露。

本轮所募资金将主要用于新一代 HBF+ 芯片的研发、量产与市场拓展，推动自主存储架构向产品化、规模化应用迈进。

德同资本连续第二轮追加投资。

根据财联社创投通—执中数据，以 2026 年 9 月为预测基准时间，领开半导体后续 2 年的融资预测概率为 88.41%。

领开半导体成立于 2020 年，总部位于浙江省宁波市镇海区，是一家依托自研 ATopFlash 技术及 HBF+ 架构的存储芯片研发商。

公司自主研发 ATopFlash 核心技术，融合 3D NAND 高密度与 DRAM 并行读取特性。当前推出新一代 HBF+ 芯片，具备高带宽、大容量、低功耗特征，读操作核心参数对齐并兼容 HBM4，且不占用传统 DRAM 产能，通过自有工艺与芯片设计协同优化数据访问路径。

公司正围绕 AI 推理大模型权重存储需求推进 HBF+ 芯片的产品验证与客户适配，致力于在满足推理性能前提下降低部署与运行成本，推动自主存储架构向产品化、规模化应用迈进。

高带宽闪存赛道在政策扶持与巨头竞逐下，正加速迈向技术突破与产业化落地新阶段。

资本化动向方面，铠侠控股宣布筹划在美国证券交易所挂牌上市代表其普通股的 " 美国存托股票 "（ADS），此举的目的有扩大投资者基础、提高企业价值等。

竞争格局方面，铠侠研发高带宽闪存（HBF），其原型产品容量是 HBM3E 模块的 40 倍。闪迪推出 HBF 高带宽闪存方案，模仿 HBM 垂直堆叠思路，依靠 TSV 硅通孔多层互联，将多个 NAND 层垂直堆叠，HBF 单堆容量最高可达 4TB。

政策情况方面，工业和信息化部、国家发展改革委印发《电子信息制造业发展 " 十五五 " 规划》，提到加快发展先进存力，推动以存强算、以存代算，研发高带宽闪存、高带宽内存等新型存储产品。上海市人民政府印发《上海市加快推进新型工业化构建现代化产业体系 " 十五五 " 规划》，提到推进存储芯片达到国际先进水平。

行业趋势方面，高盛在最新研报中表示，闪迪投资者日释放出强于预期的长期盈利和股东回报信号，同时 HBF（高带宽闪存）技术为 AI 存储带来额外增长空间。