充电头网获悉，Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS）近期推出两款基于 α MOS E2 平台打造的 600V 高压超结 MOSFET，分别是 AOGT037V60DE2 和 AOGT060V60DE2。

两款新品均采用 GTPAK 顶部散热封装，在提升散热能力的同时减少 PCB 散热压力，面向服务器、工作站、电信整流器、太阳能逆变器、电机驱动以及工业电源等中高功率应用。

此次发布的 AOGT037V60DE2 和 AOGT060V60DE2 均为 600V N 沟道 MOSFET，最大导通电阻分别为 37m Ω 和 60m Ω，通过不同阻值规格覆盖中高功率电源设计需求。

两款产品均采用 10.0 × 15.0 × 2.3mm GTPAK 封装，其中 AOGT037V60DE2 额定漏极电流为 82A，AOGT060V60DE2 额定漏极电流为 50A。

围绕服务器电源高频化、高功率密度发展趋势，AOS 目前已经构建覆盖高压 MOSFET、低压 MOSFET、DrMOS 等器件的供电方案。充电头网此前也曾对 AOS 服务器供电技术路线进行详细介绍。

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高功率电源在持续提升功率密度后，MOSFET 产生的热量如何快速导出，已经成为影响 PCB 布局、器件温升以及整机体积的重要因素。

AOS 此次将 α MOS E2 芯片与 GTPAK 顶部散热封装结合，在器件顶部设置大面积散热区域，可以更直接地与散热器等结构配合，将更多热量从器件顶部导出，而不是主要依赖 PCB 进行散热。

这种结构能够在一定程度上降低 PCB 承担的热负荷，为功率器件周围的布板释放更多空间，也有利于缩短部分大电流电气路径。通过同时优化电气路径和散热路径，可以进一步提升中高功率系统的功率密度及长期运行可靠性。

GTPAK 还采用鸥翼式引脚设计，可以缓解器件与 PCB 之间因温度循环及机械应力带来的影响，增强板级连接可靠性，更适合服务器电源、工业电源等长时间工作的应用环境。

除封装升级外，α MOS E2 平台还重点强化了高压 MOSFET 的体二极管性能。

该平台内置快恢复体二极管，通过降低反向恢复电荷 Qrr，减小体二极管换向过程中产生的损耗及开关应力，并兼顾系统 EMI 表现。其体二极管鲁棒性测试中的 di/dt 可达到 1500A/ μ s。

与此同时，α MOS E2 平台具备非钳位感性开关（UIS）耐受能力、浪涌电流承受能力以及较宽的安全工作区（SOA），并具备短路耐受能力。针对高速 dv/dt 环境，AOS 还对栅极阈值及驱动特性进行优化，降低寄生导通风险。

这些特性对于服务器电源、工业电源等应用尤为重要。此类设备不仅要求正常运行状态下保持较高效率，也需要功率器件能够承受启动、短路、负载突变等异常工况带来的瞬态应力。

在应用方面，AOGT037V60DE2 和 AOGT060V60DE2 可用于 Boost PFC、图腾柱 PFC 慢桥臂、LLC 谐振变换器、移相全桥（PSFB）以及 CrCM H-4/Cyclo 逆变器等拓扑。

对于服务器及工业 AC-DC 电源，600V 超结 MOSFET 可以用于 PFC 以及高压 DC-DC 功率级；在太阳能逆变器领域，则可以覆盖 DC-AC 等高压功率转换环节。

特别是在 AI 服务器功率持续提升的背景下，高压功率器件正在承担更重要的前级功率转换任务。此前充电头网在 AOS AI 算力电源方案报道中，也曾介绍其从 5.5kW 服务器电源到 800VDC 供电架构的功率器件布局。

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相比单纯降低 MOSFET 导通电阻，此次 α MOS E2 平台更强调导通损耗、开关性能、体二极管鲁棒性与封装散热能力之间的综合平衡，让功率器件能够适应更紧凑、更高功率密度的系统设计。

AOS 此次推出 AOGT037V60DE2 和 AOGT060V60DE2，在 α MOS E2 600V 超结 MOSFET 平台基础上进一步引入 GTPAK 顶部散热封装，并针对体二极管、UIS、SOA 以及高速动态工况进行了可靠性强化。

对于服务器电源、通信电源和工业电源而言，功率密度提升并不只是降低器件损耗，还需要同步解决散热、PCB 空间以及异常工况可靠性问题。

顶部散热封装将 MOSFET 热路径从 PCB 进一步向散热器侧转移，为中高功率电源提供了另一种热设计思路。此次两款 600V 产品的推出，也进一步完善了 AOS 面向高功率 AC-DC、DC-DC 及逆变器应用的高压功率器件布局。