9 月 16 日，在由盖世汽车主办的 2026 第六届智能汽车芯片生态大会上，博世功率半导体产品高级经理、碳化硅数据中心全球业务负责人王骏跃发表主题演讲，系统介绍了博世在碳化硅领域的技术路线、产能布局，以及向 AI 数据中心（AIDC）延伸的战略考量。

王骏跃 | 博世功率半导体产品高级经理、碳化硅数据中心全球业务负责人

在碳化硅芯片的两条主流技术路线中，博世选择了难度更高但性能更优的沟槽型路线。王骏跃介绍，目前市场主流仍以平面型为主，因其结构简单、易于实现，但 " 如果为了达到更好的 TCO，能够达到更好的成本和性能平衡，沟槽是一个更好的选择 "。

在同样单位面积下，沟槽型芯片可输出更高电流，换言之，输出同样电流所需芯片面积更小。" 博世从 2002 年开始研发碳化硅的时候，就坚定不移地走沟槽型的路线，" 王骏跃强调，这一选择源于博世在 IGBT 和 MOSFET 等领域早已是沟槽工艺的全球先行者，" 对于这个工艺，我们有足够的技术积累，我们有足够的经验怎么把这个工艺参数给调好。"

也正因如此，博世将外延和芯片环节坚定地放在自有工厂完成，从外延阶段便融入沟槽工艺的独到经验。

王骏跃透露，自 2021 年实现汽车主驱逆变器碳化硅量产以来，博世累计出货已超过 7000 万颗芯片，" 目前大约在 8000 万颗，没有出现失效 "。模块方面，每一代产品累计出货已超过 1400 万个。

值得注意的是，博世从第一颗碳化硅芯片起就直接瞄准汽车主驱逆变器这一最高难度应用，而非遵循从工业到汽车、从辅助器件到主驱的常规渐进路径。

产能方面，博世目前在德国和美国拥有两座完全基于 8 英寸的碳化硅晶圆厂，美国工厂将于今年底开始量产。王骏跃表示，2024 年至 2030 年的六年间，博世将把全球碳化硅产能扩张 20 倍，" 可以满足 AIDC 这个市场需求的冲击，同时可以满足全球车企客户的一个需求 "。

产品演进上，博世目前处于第二代芯片阶段，第三代芯片计划于 2027 年量产，2029 年和 2031 年将推出更先进的沟槽技术迭代。

演讲中，王骏跃还特别提及博世于今年 7 月 1 日正式启动的 AI 数据中心全球业务。他指出，AIDC 将消耗大量碳化硅产能，尤其是代表未来方向的固态变压器（SST），" 几乎是一个全碳化硅的应用解决方案 "。