财联社 9 月 18 日讯（编辑 刘蕊）据三位知情人士透露，韩国芯片巨头 SK 海力士旗下子公司 Solidigm 正考虑在美国新建一座 NAND 闪存芯片工厂，纽约州北部地区成为热门选址。

考虑赴美建设 NAND 新厂？

SK 海力士目前正面临特朗普政府日益增大的压力，要求其扩大美国本土产能。随着人工智能数据中心的巨额投资消耗全球存储芯片供给，美国政府正推动半导体产业回流本土。

消息人士称，该拟建项目将独立于 SK 海力士与英特尔正在洽谈的另一项扩产计划——后者拟在英特尔俄亥俄州工厂生产存储芯片。

对于媒体报道的这一消息，SK 海力士表示：" 子公司 Solidigm 正在评估多种方案以提升业务竞争力，但目前尚未敲定任何具体计划。"

公开资料显示，Solidigm 的前身是英特尔的 NAND 与 SSD 业务。2021 年 12 月，SK 海力士收购英特尔的 NAND 和 SSD 业务后，该公司作为 SK 海力士的美国子公司成立。

目前，Solidigm 只在中国大连拥有生产基地，在美国仅保留总部和研发中心。

在美国建厂，将降低 Solidigm 对其大连 NAND 生产基地的依赖，同时帮助企业规避美国可能加征的关税，以及美国针对对华出口芯片制造设备出台的限制措施。

不过一位消息人士提醒，Solidigm 的美国投资尚未达成任何协议，项目核心细节仍在磋商。

需考虑美韩双方政治压力

对于 SK 海力士来说，在美国修建 NAND 工厂，可能需要综合考虑多方政治因素。

众所周知，在美国建厂成本将高于韩国本土，加之美韩双方仍在就贸易与投资议题持续谈判，因此 SK 海力士或将采取谨慎态度。

一方面，美国商务部长霍华德 · 卢特尼克曾威胁，若韩国企业不承诺扩大在美国的产能，美方将对其最高加征 100% 关税。

而另一方面，韩国政府也在敦促 SK 海力士及其竞争对手三星，加快推进韩国西南部新建半导体产业集群的规划，该集群有望吸引数千亿美元规模的投资。

据报道，若 SK 海力士计划在英特尔工厂生产 HBM 等先进存储芯片乃至普通 DRAM 芯片，韩国政府方面潜在的反对声音或将阻碍其计划落地。

总体而言，SK 海力士等韩国芯片厂商正夹在美国和韩国两国政府之间，左右为难。

不过，据一名消息人士表示，SK 海力士通过其美国子公司在美生产 NAND 芯片面临的政治阻力可能更小，因为该技术的战略敏感度低于高带宽内存（HBM）等先进 DRAM 产品。