一个有灵魂的作者 6小时前
中国存储芯片落后10年?韩方亮明态度:技术差距已缩短至1年!
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" 缺芯少屏 " 这个概念,至今还在许多国人心里留有一道深刻的烙印。尤其是芯片,过去几年不少人认为,中国在设计层面落后 5 到 10 年,存储芯片方面要落后 10 到 15 年,而设备和材料落后的时间更长,甚至长达 20 年。这种焦虑并非空穴来风,毕竟存储芯片长期被三星、SK 海力士、美光等国际巨头牢牢把持,中国企业的存在感一度微乎其微。

但现在,这种观点已经被彻底颠覆了。韩国方面最近亮明了态度,韩国半导体产业协会首次量化了中国存储芯片与韩国的技术差距:此前这一差距长期维持在 5 年左右,但如今中国存储芯片与韩国的技术差距,NAND 闪存仅落后 1 年,DRAM 落后 2 年,HBM 落后 3 年。从 " 全面落后 5 年 " 到 "NAND 只差 1 年 ",这个变化来得比很多人预想的要快得多。

消息一出,不少网友的第一反应是:如果不是美国限制先进光刻机出口,不管是国产的手机处理器还是闪存芯片,很可能早已跻身第一梯队。这话有一定道理,ASML 的 EUV 光刻机至今无法对华出口,128 层以上闪存芯片和 18nm 以下内存芯片的制造设备也被列入制裁红线。但换个角度看,正是这种封锁,逼出了中国存储企业的另一条路。

中国企业是怎么在夹缝中缩短差距的?答案不是硬碰硬地去追赶先进制程,而是换个思路 " 弯道超车 "。在 3D NAND 闪存领域,传统的竞争逻辑是比谁的线宽更细、制程更先进,但进入 3D 时代后,游戏规则变成了比谁能叠得更高、键合做得更好、良率提得更快。

长江存储没有走依赖先进设备的老路,而是自主研发了 Xtacking 晶栈架构,把存储阵列和周边电路分开制造,再通过混合键合拼接在一起。这样一来,外围电路不再占用阵列面积,IO 速度和存储密度可以各自独立优化。从 64 层起步,如今 Xtacking 已经迭代到 4.0,配套 267 层以上的产品实现量产。

更有标志性意义的是,2025 年三星与长江存储达成了一项专利许可协议,从第 10 代 V-NAND 开始采用长江存储的混合键合技术。三星计划量产的 V10 NAND 堆叠层数将达到 420 至 430 层,层数越高,底层外围电路的压力越大,混合键合技术成了突破瓶颈的关键。这是韩国存储巨头首次采用中国存储企业的技术专利,说明中国企业在闪存技术研发上已经实现了反向输出。不仅如此,三星、SK 海力士、美光、铠侠这些闪存巨头,都在最新的技术路线中转向了类似长江存储的技术思路。

DRAM 这边,长鑫存储的追赶节奏同样不慢。三星、SK 海力士在 2023 年前后实现 DDR5 规模化量产,长鑫在 2025 年宣布量产 DDR5,差距在 2 年左右。但长鑫后续跑得并不慢,LPDDR5X 已量产,LPDDR6 也建立了制造规模,甚至在小米 18 Fold 上进行了产品首发。2026 年一季度,长鑫科技实现营收 508 亿元,净利润 330.1 亿元,单季盈利规模在 A 股非金融上市公司中跻身前五。产能方面,预计 2026 年末月产能将攀升至 30 万片,HBM 产线也计划在 2026 年底投产。

不过,越往高端走,挑战就越大。HBM 被称为 AI 存储的 " 皇冠明珠 ",难的地方在于三点:前端 DRAM 颗粒本身要先进制程、低缺陷;TSV、微凸点、硅中介层、CoWoS 等先进封装技术要协同配合;还要通过英伟达、AMD、华为等 AI 芯片厂商的认证。更关键的是,HBM4 这类最前沿的产品,制造过程中高度依赖 EUV 光刻机,而 EUV 恰恰是中国企业买不到的。

目前长鑫存储刚启动 HBM3E 试产,与韩国企业已经实现量产的差距在 3 年左右。不过在非 EUV 技术路线中,国产设备已经可以支撑本土存储品牌在消费级领域的制造生产,两家中国存储企业也与国产设备制造商在刻蚀、沉积、清洗、量测等环节展开了深度合作。

最后回到一个值得琢磨的问题:韩国方面如此坦率地承认差距缩短,真的只是客观评估吗?

一方面,这确实反映出中国存储芯片的进步已经到了不容忽视的程度。长江存储在全球 NAND 市场的份额从一年前的 8% 涨到了 13%,旗下的固态硬盘甚至重新打入了韩国本土市场。韩国媒体报道长江存储的频率明显增加,有分析指出韩国业内已经将武汉企业视为 " 必须认真研究的变量 "。

但另一方面,也不能排除韩方有别的考量。主动 " 夸赞 " 对手的进步,有时反而是一种策略——让对手放松警惕,或者借此向本国政府和产业界传递紧迫感,争取更多政策支持和投资。韩国企业在动力电池领域就有过深刻的教训,曾因轻视中国企业主导的磷酸铁锂路线而踏错节拍,2025 年全球动力电池装车量前十中中国占据六席,韩国三家合计份额从 31.7% 降至 15.3%。存储芯片会不会重演这一幕,韩国人自己心里也没底。

中韩存储芯片的竞争,已经从 " 全面落后 5 年 " 走向了 "NAND 局部并跑、DRAM 中端并跑、HBM 跟跑 " 的新格局。韩国企业仍然掌握着高端 HBM、国际大客户和先进设备材料的优势,而中国企业的筹码是本土市场、3D 架构创新和正在成型的国产供应链体系。

差距在缩小,这是事实;但前面的路还有多远,取决于谁能跑得更快、更稳。

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