长鑫存储第五代技术平台正式量产   实现微缩工艺新突破

2026 年 9 月 20 日，长鑫存储在世界制造业大会上正式宣布第五代 DRAM 技术平台（以下简称 "G5 平台 "）实现量产，同步展出基于该平台打造的大容量 LPDDR5X 新品。该平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破，将为全球存储产业提供更具创新性、更具供应链韧性的解决方案选择。

核心工艺实现突破性创新

G5 平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至 11.95 纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达 45:1。开发适配 DRAM 工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将 G5 平台核心功能区高度缩小到 6762 纳米。

研发过程中，长鑫存储在现有工艺模块的基础上，创造了独特的数字孪生系统，贯穿包括设计、开发、制造、维护等全生命周期的产品研发过程，在这一虚拟研发线中，搭建先进 DRAM 工艺模型，加速研发进程。同时，在界面工程、鞍形鳍式结构、低 k 间隔层位线等核心工艺上实现突破。

新一代产品性能跃升

G5 微缩工艺的突破推动存储密度实现跨越式提升：每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少 50%*，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。

本次大会同步展出两款基于 G5 平台打造的 LPDDR5X 量产产品，单颗容量均为 24Gb，较上一代同类型产品提升 50%，分别采用 496Ball、245Ball 封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。

长鑫存储表示，未来将持续面向全球市场需求推进技术迭代，推出更高性能、更高可靠性的存储产品，为全球数字产业发展提供坚实的底层存储支撑。

注：有源区半间距、深宽比及核心功能区高度为实际产品测量数据，存在正常测量偏差。

提升比例基于与长鑫第四代技术平台的对比。每片晶圆产出裸片数量 DPW 均换算为 8Gb 颗粒基准统计。

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