【CNMO 科技消息】9 月 20 日，在 2026 世界制造业大会上，长鑫存储宣布第五代 DRAM 技术平台（以下简称 "G5 平台 "）实现量产。此次大会展出两款基于 G5 平台打造的 LPDDR5X 量产产品，单颗容量均为 24GB，较上一代同类型产品提升 50%，分别采用 496Ball、245Ball 封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。

长鑫存储

据介绍，该平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破，将为全球存储产业提供更具创新性、更具供应链韧性的解决方案选择。

G5 平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术，把内存阵列的有源区半间距微缩至 11.95 纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达 45:1。开发适配 DRAM 工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将 G5 平台核心功能区高度缩小到 6762 纳米。研发过程中，长鑫存储在现有工艺模块的基础上，创造了独特的数字孪生系统，贯穿包括设计、开发、制造、维护等全生命周期的产品研发过程，在这一虚拟研发线中，搭建先进 DRAM 工艺模型，加速研发进程。同时，在界面工程、鞍形鳍式结构、低 k 间隔层位线等核心工艺上实现突破。

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长鑫存储表示，G5 微缩工艺的突破推动存储密度实现跨越式提升：每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少 50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。未来，长鑫存储将持续面向全球市场需求推进技术迭代，推出更高性能、更高可靠性的存储产品，为全球数字产业发展提供坚实的底层存储支撑。

长鑫存储是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售。创立于 2016 年，长鑫存储总部位于安徽合肥，在国内外拥有多个研发中心和分支机构。长鑫存储的技术团队拥有丰富的技术研发经验和创新能力，已推出多款 DRAM 商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。

LPDDR 全称是 Low Power Double Data Rate，即低功耗双倍速率同步动态随机存储器，以低功耗和小体积著称，主要用于移动式电子产品；LPDDR4/4X、LPDDR5/5X、LPDDR6 分别代表不同代际的 LPDDR 技术。据长鑫科技半年报，LPDDR5/5X 内存芯片能够有效满足中高端智能手机、笔记本电脑、AIoT 等市场需求，相关产品目前已进入小米、传音等品牌供应链。公司车规级 LPDDR5X 产品也已量产并推向市场。

长鑫存储是长鑫科技集团股份有限公司（688825）的全资子公司。8 月 28 日，长鑫科技公布 2026 年半年报，期内营收 1503.1 亿元，同比增长 873.64%，归属上市公司股东的净利润 776.05 亿元，去年同期为亏损 23.3 亿元。归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为 787.9 亿元，去年同期为亏损 23.87 亿元。

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