据财联社消息，9 月 20 日，长鑫科技宣布第五代 DRAM 技术平台（G5）实现量产。该平台将内存阵列有源区半间距压缩至 11.95 纳米，电容深宽比达 45:1，同等晶圆尺寸下产出较上代提升 50% 以上。而基于 G5 平台的 24GBLPDDR5X 移动内存已完成量产认证，正式进入国产主流旗舰手机供应链。

全球 DRAM 市场正处于 AI 驱动的超级景气周期，2026 年二季度全球 DRAM 营收约 1470 亿美元，环比增长 56% 创历史新高。此前三星、SK 海力士、美光三巨头合计占据超 90% 市场份额。其中，2025 年国内 DRAM 市场规模 2130 亿元，但整体国产化率仅 18.7%，高端移动与服务器内存国产化率不足 10%。但长鑫存储 2026Q2 全球份额已逼近 10%，排名第四，同比增速 150%，是全球增长最快的 DRAM 厂商。

本次长鑫存储 G5 平台量产是国产存储工艺向 10 纳米级节点迈进的标志性突破，意味着国内企业已掌握高端移动内存量产能力，正式切入主流旗舰市场。国产高端存储技术突破将直接降低下游手机、服务器厂商采购成本，带动国产半导体设备、光刻材料、晶圆制造等上下游产业链技术升级——比如，基于 G5 平台研发的 10667Mbps 高速率 LPDDR5X 已量产搭载于首款 AI 智能体手机 " 豆包手机 " 中。

展望后市，AI 算力与智能终端共振驱动 DRAM 量价齐升，国产替代空间广阔。专业机构 Omdia 预测，全球 DRAM 市场将从 2025 年 1505 亿美元增至 2030 年 5710 亿美元，CAGR 约 30%。其中，服务器需求占比从 50% 提升至 71%。而在国内市场，未来国产化率有望从 18.7% 向 30% 以上迈进。具体到 A 股市场，可优先关注存储芯片设计、半导体设备、封装测试等相关领域头部企业。（光大证券微资讯）