国家知识产权局信息显示，北京燕东微电子股份有限公司申请一项名为 " 一种光电探测器及其制备方法 " 的专利，公开号 CN122803455A，申请日期为 2026 年 6 月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体光电通信技术领域，本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，包括光电转换结构和与光电转换结构连通的电极；光电转换结构包括硅波导和 Ge 吸收区域，两个硅波导设置于 Ge 吸收区域两侧；硅波导包括依次连接的弯曲区域和锥形区域，锥形区域的宽度沿光传播方向线性缩小；两个硅波导锥形区域的小头一端与 Ge 吸收区域一端平齐设置于 Ge 吸收区域两侧。制备方法包括波导刻蚀、顶层硅掺杂、Ge 吸收区域制备和电极制备等步骤，得到本申请的双侧模式演化耦合光电探测器。本申请的双侧模式演化耦合光电探测器能够改善光场均匀性，增加耦合效率，制备得到带宽更大、线性度更高的光电探测器。

天眼查资料显示，北京燕东微电子股份有限公司，成立于 1987 年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 142761.8097 万人民币。通过天眼查大数据分析，北京燕东微电子股份有限公司共对外投资了 15 家企业，参与招投标项目 174 次，财产线索方面有商标信息 24 条，专利信息 163 条，此外企业还拥有行政许可 9 个。

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作者：情报员