《电鳗财经》电鳗号 / 文

8 月 29 日，长鑫科技集团股份有限公司 ( 以下简称长鑫科技 ) 发布公告，拟使用超募资金人民币 130.00 亿元投资新建技术研发项目，同时通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品 ( 合肥 ) 有限公司提供超募资金人民币 50.00 亿元，由其投资建设存储器晶圆后道测试基地二期项目。两项投资合计使用超募资金 180 亿元，占公司 368.10 亿元超募资金规模的近一半，标志着这家国产 DRAM 龙头企业在登陆科创板后，正式开启了资本开支与研发投入的双轮驱动阶段。

业绩爆发 上半年业绩大幅盈利 现金流增长 30 倍

理解此次超募投资的分量，需要先审视长鑫科技刚刚交出的上市后首份半年报。2026 年上半年，公司实现营业收入 1503.1 亿元，同比增长 873.64%; 归母净利润 776.05 亿元，较上年同期亏损 23.32 亿元实现大幅扭亏为盈。经营活动产生的现金流量净额达 1311.56 亿元，同比增长超过 29 倍，充沛的经营性现金流为后续资本开支提供了坚实支撑。

业绩爆发的直接驱动力来自全球 DRAM 供需格局的根本性转变。2025 年下半年以来，人工智能算力需求快速增长，叠加主要厂商产能向 HBM 等高附加值产品调配，通用 DRAM 产品出现全球性供不应求，价格大幅上涨。长鑫科技上半年主营业务毛利率达到 84.84%，第二季度归母净利润环比增长 113%，产能利用率持续高位运行。

值得一提的是，上半年长鑫科技研发投入总额达 68.59 亿元，同比增长 87.38%，研发人员规模增至 7491 人。研发投入占营收比例因营收增速更快而有所下降，但这恰恰反映出公司当前处于技术成果加速转化、收入规模快速扩张的良性阶段。LPDDR6 相关产品已向关键客户送样验证，车规级 LPDDR5X 产品亦已量产并推向市场。

拟投入超募资金 50 亿完善 IDM 运营模式

在业绩高兑现的背景下，此次 180 亿元超募资金的投向，显示出公司对长期竞争力的战略考量。

技术研发项目总投资 241 亿元，拟使用超募资金 130 亿元，其中 92.94% 用于设备购置，建设周期 30 个月。该项目本身不单独进行投资回报测算，其价值在于通过技术赋能主营产品，推动工艺代际演进。公司已完成从第一代到第五代工艺技术平台的量产，产品覆盖 DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6 的代际演进。持续的技术研发投入，是确保公司在存储密度、功耗控制及读写性能上不断突破的前提，也是应对全球三大原厂竞争的核心护城河。

后道测试基地二期项目总投资 108 亿元，拟投入超募资金 50 亿元，建设周期 37 个月，计划建设一座为 DRAM 存储芯片提供测试及模组组装的测试工厂。随着公司产能不断提升、产品种类增多，外部封测厂在测试产能和新增投资配套方面可能面临不足。自建测试产能不仅能够保障供应链安全，避免测试环节成为产能瓶颈，还能更灵活地协调产能利用、降低测试成本，进一步完善 IDM 运营模式。

从行业维度看，当前 DRAM 市场正处于供需偏紧的上行周期。据 IDC 预测，2026 年全球 DRAM 供应同比增长仅约 16%，而需求增速预计达 45%，供需缺口可能持续至 2027 年上半年。中信证券亦指出，存储涨价和高景气度有望贯穿 2026 年全年。长鑫科技凭借 2026 年一季度 8% 的全球市场份额，已跻身全球第四大 DRAM 厂商，但在三星、SK 海力士、美光三大原厂长期主导的格局中，份额提升空间依然广阔。

市场对存储行业周期属性的担忧并非没有道理，但长鑫科技的成长逻辑具有双重驱动力：一是行业景气带来的盈利弹性，二是国产替代进程中的份额扩张。全球 DRAM 市场规模有望从 2025 年的 1536 亿美元增长至 2026 年的 6554 亿美元，在国产替代与 AI 算力需求的双重叠加下，长鑫科技有望在周期与成长的共振中持续释放潜力。

需要指出的是，半导体行业固有的周期波动、技术研发的不确定性以及产能爬坡的进度风险，仍是该公司面临的现实挑战。此次超募资金投资议案尚需提交股东会审议，项目的最终落地效果有待时间检验。但从中长期视角看，长鑫科技在业绩高兑现期选择将充裕资金投向技术研发和产业链完善，而非单纯追求短期财务表现，体现了一家半导体龙头企业在战略定力上的成熟。在存储芯片 " 超级周期 " 与国产替代历史性机遇的交汇点上，长鑫科技正以更加扎实的路径，向着全球 DRAM 产业格局的更深层次参与迈进。

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