作者 | 语晴

编辑   |   吴玮

长鑫科技的钱，还没花完。

两个月前，这家公司以 666 亿元的募资规模登陆科创板，创下科创板 IPO 历史纪录，开盘当天股价较发行价涨了近 5 倍，市值一举超过工商银行。

两个月后，9 月 28 日晚，长鑫科技宣布动用超募资金 180 亿元，追加投入两个新项目，130 亿元用于技术研发，50 亿元注入全资子公司，建设存储器晶圆后道测试基地二期。两个项目加上配套资金，总投资规模合计 349 亿元。

钱刚到账就要再花出去，长鑫科技的算盘打的是什么？

7 月 27 日，长鑫科技在上交所科创板挂牌。开盘当天，股价从 8.66 元的发行价直接跳到 49.5 元，涨幅接近 472%，当日市值达到 3.31 万亿元，把工商银行挤出 A 股市值第一的位置。中一签 500 股，账面赚超 2 万元。

打新的人多到什么程度？近 943 万户投资者参与申购，有效申购股数超过 8000 亿股，最终中签率约 0.47%，刷新科创板记录。不过就算这样，弃购率只有 0.17%，远低于同期新股平均水平，几乎没人愿意放弃到手的签。

机构那边同样火热，100 家公募基金旗下超 5500 只产品参与网下配售，合计拿到约 108 亿元的份额，易方达、华夏、工银瑞信位列前三。量化私募方面，九坤投资、幻方量化、衍复投资等机构也悉数入场，按开盘价算，每家账面浮盈都在 6 亿元以上。

市场愿意给这个价格，背后有两个支撑点。一是业绩够硬。2026 年上半年预计营收超 1100 亿元，同比增长超 600%；归母净利润预计超 500 亿元，同比增长超 2200%。这组数字放在任何行业里都足够显眼。二是稀缺。

A 股此前没有一家 DRAM 晶圆制造企业，长鑫科技填上了这个空缺，机构找不到第二个可以类比的标的，估值自然往高处走。华西证券在研报中指出，长鑫科技的上市填补了 A 股存储制造板块的空白，此前整个存储赛道只有设计公司，没有制造龙头，定价逻辑存在明显缺位。

当然，长鑫自己也在招股文件里提示了风险：这轮业绩爆发，很大程度上是 AI 需求拉动 DRAM 价格上涨的结果。一旦 AI 投入不及预期，加上各家厂商的新产能陆续释放，供需关系随时可能逆转，业绩压力也会随之而来。

业绩好、超募多，钱怎么用是个现实问题。长鑫科技给出的答案是：继续往技术和产能两端砸。

技术研发项目总投资 241 亿元，超募资金出 130 亿元，剩余部分另行筹措，建设周期 30 个月。这个项目没有单独的回报测算，收益靠主营产品的竞争力来兑现。

DRAM 的竞争本质是制程代际的竞争，存储密度、功耗、读写速度，每一项都要靠持续的研发投入来推进。截至 2026 年 6 月底，长鑫拥有境内专利 4484 项（其中发明专利 3744 项）、境外专利 3400 项，研发人员 7491 名，占员工总数超过 33%。

这次追加的 130 亿元，是在现有积累上继续向下一代工艺推进。值得一提的是，长鑫目前已完成从第一代到第五代工艺平台的量产，产品线覆盖 DDR4 到 LPDDR6，核心技术已达到国际先进水平，这也是此次研发项目的落地基础。

后道测试基地二期总投资 108 亿元，超募资金出 50 亿元，建设周期 37 个月，计划建一座专用测试工厂，承接 DRAM 晶圆后道测试和模组组装。这个项目解决的问题更直接：随着产能规模扩大、产品种类增多，外部封测资源已经开始跟不上节奏，测试产能的缺口可能卡住整体出货节奏。

自建测试线，一方面减少对外部供应商的依赖，保障供应链的稳定性，另一方面也能摊薄单位测试成本，让 IDM 模式从设计制造延伸到封测环节，把更多环节的主动权握在自己手里。

两个项目加起来，投资周期最长达到 37 个月，覆盖了接下来三年左右的建设窗口。从时机上看，超募资金有使用期限要求，尽早明确投向是合规需要；而存储行业的技术节奏不会等人，现在投下去，三年后新产能和新工艺才能落地。

长鑫这次的出手，与其说是趁热打铁，不如说是在行业高点主动为下一轮周期备好筹码。

发布于：河南