企查查数据显示，晶合集成（02249.HK）公开半导体结构界面态改善的方法及半导体结构专利，申请日期为 2026 年 9 月 7 日。专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种半导体结构界面态改善的方法及半导体结构，半导体结构界面态改善的方法包括提供一至少表面区域为单晶硅的衬底；在所述衬底临近表面的区域形成阻隔层，所述阻隔层用于抑制所述衬底中的硅原子向所述衬底的表面迁移；在形成有阻隔层的所述衬底的表面上方形成非晶硅层；对形成有非晶硅层的所述衬底进行原位氧化处理，使所述非晶硅层及至少部分所述阻隔层转化为绝缘层。本发明中，通过形成阻隔层和非晶硅层，同时抑制了单晶硅原子向上扩散和外部原子向下扩散，采用双向阻断策略改善了硅和绝缘层之间的界面特性。

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