美股周一的收盘，把存储板块推到了风口浪尖。

美光科技收跌 3.88%，股价跌破每股 1000 美元，距离 6 月高点回撤近两成，逼近技术性熊市；闪迪跌 5.97%。光通信板块也没能幸免，Ciena 重挫 9.95%，Lumentum、Coherent 分别下跌 9.78% 和 7.87%，康宁跌 6%。

火很快烧到亚洲。韩国市场节后首个交易日，KOSPI 开盘跳水 3.1%，跌幅迅速扩大到 4% 以上，交易所启动 SIDECAR 机制暂停程序化卖盘。SK 海力士盘中跌超 6%，三星电子跌近 5%，KOSDAQ 与半导体指数跌幅都在 5% 上下。日经 225 同步走弱，盘中下挫逾 1200 点。

（两倍做多海力士表现；格隆汇）

A 股开盘跟着承压。沪指低开 0.96%，创业板指跌 2.18%，算力硬件概念跌幅居前。存储链上的几只代表标的首当其冲，长鑫科技早盘跌 4.55%，兆易创新跌 5.73%，江波龙跌 3.29%。港股方面，两倍做多海力士、两倍做多三星电子均跌超 10%。

压在情绪上的，是托底力量的退场。

韩国两大存储巨头此前联手抛出合计约 55 万亿韩元、接近 400 亿美元的回购计划，规模之大在韩国资本市场前所未有，一度被资金当成股价的安全垫。

结果，这套动作却比预设时间提前数周收尾，三星的回购在 10 月 6 日实际终止。托底一停，指数立刻失去承托，此后三个交易日 KOSPI 累计下跌约 8%。

撤走的不只是回购。外资连续第五个交易日净卖出。与 6 月 22 日的高点相比，KOSPI 已回撤约三成，SK 海力士跌幅达到 45%。真金白银买回来的信心，撤走的时候同样干脆。

比盘面更难消化的，是竞争对手递上来的答卷。

长鑫科技在第四届集成芯片和芯粒大会上宣布，新一代 4F ² 架构 DRAM 研发取得关键进展，年底将推出融合 4F ² 架构与晶圆级混合键合的 DDR5 RDIMM，直奔服务器内存市场。

相比眼下主流的 6F ² 方案，4F ² 把单元面积压缩约三分之一，同晶圆同制程下的存储密度理论上能提升约五成，核心是自研的 VSG 垂直包围栅晶体管。

路线上的领先更让人在意。SK 海力士直到 2025 年才公布 4F ² 路线图，三星的目标则是 2028 年实现 10 纳米以下 DRAM 量产。若长鑫年底如期交付，代差会被拉到两年左右。

份额曲线也在同步上移，长鑫的全球 DRAM 营收占比从 2025 年二季度的 4% 升到 2026 年二季度的 10%，站上全球第四。

马斯克在社交媒体上补了一刀。他说，一旦中国掌握某项产品的制造工艺，其规模能力会远超世界其他地区，锂电池和光伏都是先例。

在他看来，内存芯片可能复制这条轨迹，RAM 前些年仍被当作低毛利的大宗商品，而 LP5、LP6 这类标准化设计，天然方便不同厂商放手扩产。

倘若中国厂商快速解决制造与良率的难题，传统 RAM 市场的竞争格局会出现更大变化。他也留了余地，HBM、3D 堆叠这类新兴技术，中国厂商啃起来会更费力。

需求端传来的数字也不友好。

Counterpoint 的统计显示，2026 年三季度全球智能手机出货同比下滑 20%，创下 2012 年以来的同期新低。存储芯片危机连续两个季度冲击手机市场，今年以来全球智能手机零售价累计上涨约两成。

分厂商看，三星以 23% 的份额居首但出货下滑 3%，苹果以 22% 的份额首次在三季度突破两成，小米出货跌超 30%、份额落到 10%，OPPO 与 vivo 均跌超两成。

价格越涨，换机越慢，消费者把设备用得更久，也开始考虑翻新机。存储涨价推起来的繁荣，正被终端需求反过来稀释。

把这几条线索放到一起，市场真正在交易的东西其实很清楚。

一条是估值。存储股这一轮上涨，早已把 2027 乃至 2028 年供需紧张、价格高企的乐观情形写进了价格。当业绩兑现变成预期之内的事，三星三季度营业利润接近九倍的增长反而触发了抛售。

高盛直言，近期缺少足够的催化剂来推动进一步重估。预期打得太满，好消息也会变成卖出的理由。

另一条是竞争。担忧的落点已经从短期价格移到 2028 年的供需格局会不会逆转。长鑫的架构突破等信号叠在一起，让投资者为行业竞争加剧提前定价。

高盛美国主经纪商数据显示，上周美国 IT 板块从净买入居首骤然变为净卖出居首，七周里抛压释放偏快，集中在科技硬件、存储与外设与半导体板块。利好接连落地，筹码却在加速离场。

短期看，本周台积电与 ASML 的业绩、三星 10 月 29 日的财报电话会，都会给存储的中期供需提供新线索，市场尤其关心三星会不会像美光那样，对 2028 年的供应趋紧给出表态。

周期股的故事从来不新鲜，涨的时候把未来几年都想得很好，跌的时候又把糟糕的情形提前演一遍。

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