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SK海力士发布MARS内存加速架构与HBF高带宽闪存技术,科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数跌超1%,近30日累计净流入超2亿元
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盘面上,两市震荡下行,芯片设计概念下跌。相关 ETF 方面,科创芯片设计 ETF 天弘(589070)标的指数盘中跌 1.1%,成交额达 1.45 亿元,为同标的第一;换手率达 7.62%。成分股中,芯原股份、峰岹科技、康希通信等多股跟跌。

科创芯片设计 ETF 天弘(589070)最近 30 个交易日累计获资金净流入 2.46 亿元。截至 2026 年 10 月 13 日,该基金最新规模为 19.14 亿元,为同标的第一。

科创芯片设计 ETF 天弘(589070)紧密跟踪科创芯片设计指数,该指数今年以来涨幅达 8.37%,其行业配置主要包括半导体(99.18%)、软件开发(0.82%)等,前五大成分股为澜起科技、海光信息、寒武纪、佰维存储、芯原股份。该 ETF 还配备了 2 只场外联接基金(A 类:027574;C 类:027575)。

近一年数据显示,科创芯片设计指数 PE-TTM 为 102.46 倍,当前估值低于近一年 100% 的时间,已具备显著估值性价比。

消息面上,据媒体报道,SK 海力士在 2026 年 OCP 全球峰会上发布 MARS 内存加速架构与 HBF 高带宽闪存技术,旨在破解 AI 训练与推理的内存瓶颈。其中,MARS 架构可使多轮推理的首次标记时间提升 3 至 5 倍。同时,HBF 技术带宽约为 HBM 的一半,但容量可达其 14 倍,为存储架构提供了新的平衡方案。

中金公司认为,芯片设计是地缘经济中的关键战略产业,需从 " 追赶式创新 " 转向 " 引领式创新 ",通过资本市场和中小企业新体制培育可持续增长。科技金融能补齐中国在金融维度的短板,为芯片长期研发提供稳定资本支持,降低对美元体系的依赖。同时,应注重需求侧发力,通过扩大内需证明芯片设计的商业可行性,增强国家资源控制力。

风险提示:文中提及的排名数据均基于公开市场数据测算,具体依据如下:成交额排名:截至 2026 年 10 月 14 日,在对标科创芯片设计指数的 ETF 产品中,科创芯片设计 ETF 天弘(589070)成交额排名同标的第一;规模排名:截至 2026 年 10 月 13 日,在全市场对标科创芯片设计指数的 ETF 产品中,科创芯片设计 ETF 天弘(589070)最新规模排名同标的第一。成分股仅为客观展示,不代表个股推荐。本文观点不构成任何投资建议,市场有风险,投资需谨慎,指数基金存在跟踪误差,请投资人独立判断和决策。数据来源:Wind,数据截至 2026 年 10 月 14 日。

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