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铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片完成流片,采用1T4R存储结构
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铭芯启睿首款 1Gb RRAM 芯片完成流片,采用 1T4R 存储结构

2026.10.14 16:18  

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钛媒体 App 10 月 14 日,铭芯启睿(MemSilicon)近日宣布完成基于 1TnR 技术路线的首代高密度、大容量 RRAM 芯片 " 泰山一号(MountTai 2026)" 流片,目前正推进芯片验证。该芯片采用 28nm CMOS 工艺平台及 1T4R 存储结构,单芯片容量达 1Gb,存储密度为 30Mb/mm ²,访问延时小于 20ns,并集成片上硬件纠错电路。据悉,1T4R 结构通过一个选择晶体管连接四个阻变存储单元,以提高存储密度。(广角观察)

本文内容仅供参考,不构成投资建议,请谨慎对待。

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