【CNMO 科技消息】在深圳举行的 2026 全球存储创新论坛上，三星半导体发布了两款面向下一代企业级应用的固态硬盘 BM1773 与 PM1763，同时公布了刷新层数纪录的 V10 NAND 以及面向端侧 AI 的 zNAND-O。这一组合覆盖了从超大规模数据中心到本地设备运行大模型的完整场景。

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BM1773 定位为数据中心服务器的高容量存储方案。这是一款超高密度 QLC 固态硬盘，最高容量可达 256TB，却仍采用紧凑的 E3.S 规格。硬件层面，它基于三星第九代高密度 NAND 闪存（V9Q 2Tb），运行在 16 通道 PCIe 5.0 架构之上，顺序读取速度最高 4.5GB/s，随机写入速度最高 50000 IOPS。与上一代 QLC 产品相比，BM1773 的总写入字节数（TBW）耐久度提升了一倍，额定为每天 0.6 次全盘写入（DWPD）。

这款产品还引入了智能晶粒失效恢复机制。当单颗存储晶粒出现故障时，硬盘会继续正常工作，而不会像以往那样让整块 SSD 进入受限的只读状态——对于承载大量数据的服务器来说，这一点的实际意义不小。安全与合规方面，BM1773 支持 CNSA 2.0，并具备 FIPS 子芯片认证。

PM1763 则是一款面向高性能企业级负载的产品，采用 PCIe 6.0 接口。其顺序读取速度最高可达 28.4GB/s，写入速度最高 21GB/s，均为上一代硬件的两倍。容量覆盖 4TB 至 64TB，提供 E1.S、E3.S 与 U.2 三种规格。除速度之外，PM1763 的能效较前代提升 1.8 倍，并针对当前的液冷方案做了适配。安全特性包括 CNSA 2.0、后量子密码（PQC）、SPDM 以及基于 TDISP 的加密，用于保护服务器上的敏感工作负载。

NAND 层面，三星公布了 V10 NAND，这是业界首款堆叠层数超过 400 层的闪存。与以往几代相比，V10 的数据密度提升 58%，传输速度提升 33%，功耗则降低 25%，三项指标同时改善，意味着在同样的空间内可以放入更多容量，同时减少单位数据的能耗。

面向边缘与端侧 AI 场景，三星展示了 zNAND-O。这一定位为传统 DRAM 与闪存之间高速桥梁的产品，数据密度达到 DRAM 的 10 倍，能够让笔记本电脑、智能手机、平板等设备以低得多的成本在本地运行大型 AI 模型。

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