长江存储申请半导体结构及其制备方法、存储系统专利，改善栅叠层结构的侧弯问题

市场资讯 2026-10-17 16:41:29

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为 " 半导体结构及其制备方法、存储系统 " 的专利，公开号 CN122934800A，申请日期为 2025 年 4 月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决栅极隔离结构两侧的栅叠层结构侧弯的问题。半导体结构包括栅叠层结构和栅极隔离结构。栅极隔离结构沿第一方向贯穿栅叠层结构，栅极隔离结构包括多个第一隔离结构和至少一个第二隔离结构，多个第一隔离结构沿第三方向排布，第二隔离结构位于相邻的两个第一隔离结构之间，第二隔离结构具有沿第三方向排布的第一端和第二端，还包括沿第三方向排布的第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层位于第一隔离结构和第一端之间，第二绝缘层位于第一隔离结构和第二端之间。通过上述设置，第一绝缘层和第二绝缘层能够加强对栅叠层结构的支撑，改善栅叠层结构的侧弯问题。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于 2016 年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 12469608.0404 万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了 3 家企业，参与招投标项目 1503 次，财产线索方面有商标信息 1032 条，专利信息 6309 条，此外企业还拥有行政许可 1243 个。

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