10 月 15 日，以 " 巅峰之上 · 跨越四年的技术长征 " 为主题的长飞先进技术发布会在深圳召开。会上，长飞先进面向车规主驱市场正式发布了自主研发的高性能 SiC   MOSFET 系列芯片及 DeepXETM 嵌入式 PCB 功率模块，并针对 AI 数据中心领域发布了其基于成熟量产芯片 PG4E 的单管系列及 EZ2C/3C 特色模块家族，用先进的碳化硅技术重新定义能源效率边界。

本次重磅发布的长飞先进高性能 SiC MOSFET 系列芯片，性能卓越，拥有丰富的产品矩阵及成本优势，能匹配更多性能要求。产品 Rsp 低至 1.7~2.2m Ω .cm2，主要适配 700V/800V/900V 高压系统，短路耐受时间 SCWT& 短路能量 ESC 达业内先进水平，同时通过了 AEC-Q101 标准下全套可靠性测试及强化寿命 & 环境试验条件 3000h 验证。

与此同时，长飞先进自主研发的 DeepXETM 嵌入式产品，拥有三大技术亮点：一是基于 Cavity-Free AMB 内嵌单元的创新 PCB 叠构方案；二是功率半导体芯片表面金属化与关键界面先进互联工艺；三是电热磁力多物理场约束下的芯片排布与功率路径 3D 构建。在先进的技术方案加持下，长飞先进 DeepXETM 嵌入式产品较传统封装形式，电流密度可提升 20%、热阻 Rth 降低 15%，杂散电感降低 75% 至 0.9nH；体积和重量同时降低 50%，整体开关损耗降低 20%，为车规主驱客户直接提供了一套高功率密度、高性能嵌入式功率模块终端方案。

在 AI 数据中心领域，长飞先进发布的 PG4E 单管系列为 750V 及 1200V 的产品，与当前国内外同类产品相比，具有高可靠、低损耗的特点，性能上也更适合于 AIDC 这种追求极致效率的应用场景。EZ2C/3C   SiC 功率模块则为国内首个采用先进的扩散焊工艺的功率模块，相较传统锡焊片工艺，EZ2C 的节壳热阻可降低 18%，满载时芯片节温可降低 25 ° C 以上，同时 EZ 家族全系采用耐高温材料体系，支持 SiC   200 ° C 以上的工作温度，可充分释放 SiC 的材料优势。并且，EZ3C 还创新集成了高效 SHB 三电平拓扑，极大地降低了 SST 的系统复杂度，有助于 SST 长期不间断服役下的可靠性。

此外，在车规主驱及 AI 数据中心领域之外，长飞先进在本次技术发布会上同步推出了覆盖消费电子与工业应用的全系列产品，并重磅发布了高性能沟槽技术平台，全面展现了其在碳化硅领域的深厚积累与系统化布局。

从车规主驱到 AI 数据中心，从工业到消费、生活家电，长飞先进正以自研功率模块、芯片及单管等全矩阵产品，持续拓宽碳化硅技术的应用边界。技术迭代不止，市场蓝海可期。在新能源汽车与 AI 算力爆发的双重浪潮下，长飞先进正加速驶入功率半导体的黄金赛道，以先进碳化硅技术赋能产业变革新时代。