早在去年 9 月，SK 海力士就宣布已成功完成面向 AI 的超高性能存储器新产品 HBM4 的开发，并在全球首次构建了量产体系。得益于 HBM3/HBM3E 时代积累的优势，外界普遍预测 SK 海力士在今年英伟达新一代 Vera Rubin 平台上，收获大部分 HBM4 订单。与三星逐渐解决了过去产品中存在的性能与生产问题，HBM4 出货量开始大幅攀升不同，SK 海力士似乎遇到了一些困难，HBM 市场份额也出现了下降。

据 Wccftech 报道，近期一份报告称，原定于今年下半年交付的部分 HBM4 后道设备订单存在延期迹象，后续的发货计划也没有明确，甚至不清楚 SK 海力士现有的设备是否已经处于满载的状态。一系列信息引发了市场的关注，对 SK 海力士的 HBM4 产能扩产计划产生了担忧。

考虑到现在 DRAM 的行情，加上 HBM 本身就属于利润顶端的产品，不太可能出现 SK 海力士故意推迟设备交付，压制 HBM4 生成的问题。之前就有消息称，SK 海力士在 HBM4 上遇到了技术难题，导致无法提升产量。

尽管市场存在质疑的声音，但是有分析师指出，即便 HBM4 存在生成问题导致出货量没有达到预期也不需要过度忧虑，不应该被视为无法解决的风险问题。另外还有供应链人士透露，由于通用 DRAM 价格走高，SK 海力士可能在 HBM4 选择较为保守的策略，现阶段将更多资源投向通用 DRAM，以保证利润率。

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