来源：21 世纪经济报道

长鑫科技业绩弹性将更多取决于产能爬坡进度与产品结构优化，若高附加值产品落地提速，有望带来额外业绩增量；若消费端需求持续偏弱，盈利向上空间将受限

文｜《财经》记者 张建锋

市值高居 A 股榜首的长鑫科技（688825.SH），近日披露 2026 年三季报业绩预告。

长鑫科技预计，2026 年前三季度营业收入约为 2650 亿元至 2700 亿元，同比增长超 7 倍；归母净利润约为 1310 亿元至 1325 亿元，同比增长超 25 倍。

按照上述数据测算，2026 年前三季度，长鑫科技每月平均盈利预计超 145 亿元，每日平均盈利约 4.8 亿元。

从单季来看，2026 年三季度长鑫科技营业收入、归母净利润环比增幅分别约为 15.25%-20.28%、1.04%-3.88%，相对于二季度环比增幅大幅回调。

" 三季度长鑫科技营收、归母净利润环比增速深度回调，核心原因是全球 DRAM（动态随机存取存储器）价格上涨斜率显著收敛，叠加公司当前产能已经接近阶段性上限，产能短期内难以快速释放，增量无法弥补涨价红利的衰减，进而造成利润端环比增速回落至个位数区间。" 朴拙资本执行合伙人苗天一对《财经》表示，同时 PC（个人电脑）、智能手机等消费电子终端对于持续走高的存储成本承受力接近阈值，终端客户主动控库存、放缓备货，进一步压缩产品涨价空间，虽然行业整体供需依旧偏紧，但价格对利润的边际拉动效应明显减弱。

二级市场方面，受利率预期重新抬头等因素扰动，国内外存储板块股价均出现回调。10 月 16 日，长鑫科技收盘总市值为 3.06 万亿元，相对于上市后 4.2 万亿元高点，蒸发超万亿元。

股价回调之际，长鑫科技拟用 10 亿元至 20 亿元自有或自筹资金回购公司股份。

展望后市，多家机构仍看好长鑫科技投资价值。中信证券表示，长鑫科技同时卡位 AI（人工智能）存储与国产替代两大核心主线，技术、产能及产品结构持续升级，成长空间广阔，持续看好公司投资价值。

前三季净利润超千亿元

10 月 16 日晚间，国产 DRAM 龙头长鑫科技披露 2026 年前三季度业绩预告，公司预计营业收入约为 2650 亿元至 2700 亿元，相对于上年同期的 320.84 亿元，同比增长 7.26 倍至 7.42 倍；归母净利润约为 1310 亿元至 1325 亿元，相对于上年同期亏损 52.8 亿元，同比增长 25.81 倍至 26.09 倍。

长鑫科技表示，2025 年下半年以来 AI 算力需求快速增长，全球 DRAM 行业景气度提升，产品供不应求，价格大幅上涨。" 公司推进产能建设、产品研发和工艺技术提升，进一步提高单位晶圆产出和产能利用率，公司规模效应持续显现。"

尽管业绩保持高速增长，但公司季度环比增速在下滑。分季度看，2026 年三季度，长鑫科技营业收入约为 1146.9 亿元 -1196.9 亿元，环比增长约 15.25%-20.28%，相对于二季度 95.89% 的环比增速大幅回调；三季度公司归母净利润为 533.95 亿元 -548.95 亿元，环比增长约 1.04%-3.88%，相对于二季度 1.13 倍的环比增幅，亦出现深度回调。

国际存储三巨头公司中，已披露最新季度数据的美光科技（MU.O）业绩走势相同。Wind（万得）数据显示，美光科技 2026 财年四季度（2026 年 5 月 29 日至 9 月 3 日）营业收入、归母净利润分别约为 3677 亿元、2556 亿元，环比增幅分别约为 30%、33%，相对于三季度（2026 年 2 月 27 日至 5 月 28 日）环比 71%、102% 的增幅，营业收入、归母净利润环比增幅也出现下滑，但仍保持较高增长。

在苗天一看来，本轮存储上行周期中，美光科技维持营收与归母净利润高环比增长，核心受益于 HBM（高带宽内存）等高附加值存储产品大规模出货，叠加普通 DRAM、NAND 芯片价格回暖形成业绩共振，而长鑫科技现阶段产品结构仍以普通 DRAM 为主，没能获得 HBM 赛道的高毛利红利。" 但同时也要看到，存储行业客户认证、产线调试、HBM 技术研发与良率爬坡本身存在较长周期，长鑫科技当前首要目标是先巩固通用 DRAM 的市场份额与盈利底盘，后续 HBM 相关技术逐步落地后，才有机会进一步打开盈利空间，缩小与国际存储巨头之间的业绩弹性差距。"

市场对长鑫科技业绩增长仍保持乐观。

苗天一告诉《财经》，在通用 DRAM 合约价仍有望维持小幅环比上行的背景下，四季度长鑫科技盈利大概率维持高位平台运行，但很难复刻二季度超高环比增速，业绩弹性将更多取决于产能爬坡进度与产品结构优化，若 HBM 等高附加值产品落地提速，有望带来额外业绩增量，反之若消费端需求持续偏弱，盈利向上空间将进一步受限。

西南证券认为，展望未来，长鑫科技上市募资积极扩产，并推动高代际产品迭代，逐步缩小与海外龙头的制程差距，通过积极布局中高端产品抢占国内市场，国产替代空间广阔，长期成长路径清晰。

发布三季度业绩预告的同时，长鑫科技披露回购公告。

10 月 16 日，长鑫科技收到公司董事长朱一明《关于提议长鑫科技集团股份有限公司回购公司股份的函》，公司拟用 10 亿元至 20 亿元自有或自筹资金回购公司股份，回购价格不高于公司董事会审议通过回购方案决议前 30 个交易日公司股票交易均价的 150%，回购股份拟用于员工股权激励 / 员工持股计划或减少公司注册资本。

回购背后是存储个股股价集体回调。9 月 30 日至 10 月 16 日，长鑫科技股价跌幅为 18.96%。10 月 16 日，公司收盘于 45.02 元 / 股，总市值为 3.06 万亿元，相对于上市后 4.2 万亿元高点，蒸发超万亿元，但仍位居 A 股市值榜首位。

同期，国际存储三巨头股价回调幅度均超 17%，其中 SK 海力士（000660.KS）股价跌幅为 27.93%，位居首位。

" 长鑫科技此轮股价回调，是估值消化、周期预期博弈、资金调仓多重因素共振的结果，公司上市后股价前期涨幅较大，高位积累大量获利盘，存在较强兑现诉求。" 有市场人士对《财经》分析，同时市场开始提前交易存储周期预期，担忧海外存储大厂后续扩产会逐步改善供给紧张格局，叠加消费端需求偏弱，投资者担心本轮存储涨价周期逐步走到后半段，估值端率先进行周期定价。

" 近期全球存储芯片股价波动加剧，10 月以来表现显著弱于其他板块，除宏观因素的扰动外（原油价格波动上涨，通胀与利率预期重新抬头），产业界对于长鑫科技 4F ² 技术的进展亦变得更为关注。" 中信证券指出，主要原因是市场担心：中国本土晶圆厂在高毛利的服务器 DDR5（DDR 指双倍速率同步动态随机存储器）市场实现有效技术破局，海外巨头通过垄断产能维持超高议价权的叙事逻辑会被动摇。

2026 年以来，长鑫科技在架构和产品端，均取得进展。

10 月 10 日，长鑫科技在第四届集成芯片和芯粒大会上，介绍公司 4F ² 架构研发取得关键进展，并计划将于 2026 年底推出融合上述技术的新一代 DDR5 RDIMM（寄存式双列直插内存模组）产品。

4F ² 表示单元理论面积仅占用 4 倍最小特征尺寸的平方。有券商表示，截至 2026 年 10 月，海内外原厂商商用 DRAM 产品仍为 6F ² 架构，在相同特征尺寸下，4F ² 单元的理论面积为 6F ² 的三分之二，有望提升存储阵列密度。" 长鑫存储的 4F ² 架构，有望进一步缩小与海外先进制程水平的差距。"

在中信证券看来，从产业进展来看，目前 DRAM 的技术仍以 6F ² 单元结构为主，4F ² 技术的落地需看三星电子和长鑫科技的进展。目前来看，4F ² 技术仍处于早期验证阶段，后续仍需观察公司在该领域的良率、产量、毛利率、下游客户认证情况等各个指标，对于中短期存储产业的影响相对较小。

产品端，长鑫科技也有进展。2026 年 9 月 20 日，公司在 2026 世界制造业大会上宣布，公司第五代工艺技术平台正式实现量产，并同步展出基于该平台打造的大容量 LPDDR5X（LPDDR 指低功耗双倍速率同步动态随机存储器）产品。

长鑫科技称，第五代工艺技术平台实现量产有助于公司进一步丰富产品矩阵、提升核心竞争力、巩固市场地位。" 截至 2026 年 9 月 21 日，公司基于第五代工艺技术平台的量产产品尚未形成规模销售，短期内不会对公司经营业绩产生重大影响。"

有券商表示，随着良率提升、新架构与新工艺平台在产品矩阵内逐步渗透，长鑫科技单片存储晶圆产出的容量有望提升，结合后道测算及模组组装能力完善，有助于摊薄单位比特成本，为 DDR6、LPDDR6、HBM 等高端产品研发及产业化打下基础。

（来源：财经杂志）