据媒体报道，英伟达已要求三星电子、SK 海力士和美光科技，在其 NVHBM 产品的基础晶圆制造中采用台积电工艺，并在核心晶圆上使用第六代 DRAM 技术。

其中，三星电子将利用台积电 3 纳米工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）芯片生产基础晶圆。这标志着三星首次在 HBM 制造环节与台积电展开合作。

英伟达于今年 8 月发布 NVHBM 架构，通过将定制内存控制器集成至基础晶圆，旨在统一多家内存供应商的实施标准。据悉，三星经内部审查后接受了英伟达的要求，但明确表示，其标准 HBM 产品及面向其他客户的定制产品，仍将继续沿用内部生产模式。

另有知情人士透露，三星正在评估备选方案：若台积电产能无法满足需求，其自家晶圆厂是否具备生产 NVHBM 基础晶圆的能力。

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