英伟达正通过定制内存设计，将高带宽内存（HBM）制造环节的控制权从传统内存厂商转移至其最大客户手中，并将关键工序交由台积电主导。

据悉，三星电子在完成内部审查后，已同意在其下一代定制 HBM 产品 NVHBM 的基础芯片制造中，采用台积电 3 纳米工艺。此举标志着三星与台积电首次在 HBM 制造阶段展开合作。

【星途科讯 图文丨 Patrick 首发于 ZAKER 科技，转载请注明出处】