快科技 10 月 19 日消息，第五届 GMIF 创新峰会（GMIF2026）日前在深圳落幕。三星内存中国的 CVP 兼 CTO 凯文 · 尹在大会上发表题为《内存革命：构建智能体 AI 的基石》的主题演讲，介绍了覆盖从服务器 SSD 到端侧 zNAND-O 的完整产品布局。

他指出，随着 AI 从生成式走向智能体，多个智能体协同处理复杂任务，产生的 token 数量急剧增加，KV 缓存的容量与复用需求随之上升。一旦 KV 缓存超出 GPU 内存的承载范围，独立的共享存储层级就变得不可避免。

围绕 KV 缓存共享，凯文 · 尹介绍了两种服务器 SSD。主打性能的 PCIe Gen6 产品 PM1763 采用 V-NAND TLC 并强化了散热系统，计划在 2026 年第四季度出样。

在 NAND 工艺层面，凯文 · 尹介绍了三星最新的 V10 BV-NAND，这是业界首个实现 400 层以上的产品。相比 V9，V10 的位密度提升 58%，I/O 速度提升 33%，功耗降低 25%。

他提到，其中的关键在于先进键合技术，即把存储单元与外围电路分开制造，再垂直贴合，从而实现高密度堆叠。

针对端侧 AI，三星给出的方案是新一代 NAND 架构 zNAND-O，目前正在开发 4 层与 8 层两个版本。按照三星的判断，到 2030 年 AI 模型的参数规模将超过 1 万亿，如果沿用现有统一内存架构、把所有权重都放在 DRAM 里，端侧成本会迅速攀升。

zNAND-O 与 MPU 封装在一起并通过 UCIe 接口连接，位密度达到 DRAM 的 10 倍，读取带宽与读取能效则是 NAND 闪存的 7 倍。在使用 Moonshot AI 的 Kimi K2-1T 模型进行的模拟中，采用 zNAND-O 的 NPU 优化架构在同等性能下把内存成本降到四分之一，所能容纳的模型规模接近原来的两倍。

GMIF 每年都会表彰在产业链上推动关键技术突破与计算生态建设的企业。三星半导体凭借 zNAND-O 三维架构、400 层以上 V10 NAND、CXL 内存以及在 DRAM 与 NAND 领域长期的领先位置，获得 AI 内存与存储产业卓越领导力奖，这也是它连续第二年在这一大会上获奖。

从共享 KV 缓存所需的高速与大容量服务器 SSD，到 400 层以上的 V10 NAND，再到面向端侧的 zNAND-O，三星在多个层级上都拿出了对应方案。

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