美光对 4F ² DRAM 给出了明确判断：没有可行的规模化路径。当地时间昨日，美光举行 2026 年度技术网络研讨会，对 DRAM、HBM 式堆叠内存、NAND 与 SSD 进行展望，基础 DRAM 技术成为焦点之一。

按照美光的说法，4F ² DRAM 经过二十多年技术探索，受限于复杂度和成本，难以走向规模化。传统 2D 6F ² DRAM 又面临尺寸收缩瓶颈，美光的选择是转向 3D DRAM。

这条路线并非行业共识。长鑫存储此前表示计划在年内推出 4F ² & BV DDR5 RDIMM；也有消息称，三星电子在首代亚 10nm 级 DRAM 上放弃了 4F ² 路线。同一项技术，三家厂商给出了不同答案。

美光同时披露了 DRAM 节点的推进节奏：

第 7 代 10nm 级节点1 δ已在良率爬坡阶段，可带来约25%的代际存储密度提升，同时拥有优化的成本，将广泛用于 HBM5、vHBM、vEIM、LPDDR、DDR 等产品；

第 8 代 10nm 级节点1 ε引入晶圆键合技术；

第 1 代亚 10nm 级节点ζÅ已在早期开发阶段，导入 High NA EUV 光刻；

第 2 代亚 10nm 级节点ηÅ正在寻路，计划应用新材料。

另一个方向是逻辑电路的 3D 化。美光表示，DRAM CMOS 逻辑电路也将实现 3D 化，带来显著的性能改进。存储单元之外，外围电路同样被纳入立体堆叠的想象空间。

一边是 4F ² 被判出局，一边是 3D DRAM 与逻辑电路 3D 化同时推进，美光在基础 DRAM 上的下注方向已经清晰。而长鑫存储的 4F ² 产品计划与三星的路线取舍，让这场关于 DRAM 未来形态的分歧继续留在台面上。