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10 月 22 日消息，据市场研究机构 Omdia 数据显示，今年第二季度，长江存储已经占据中国 NAND 市场 38.5% 的份额，去年这一数据为 28%；三星在中国 NAND 市场的份额则从去年二季度的 36% 下降至今年的 33.5%，SK 海力士的份额也从 20% 降至 17%。

据报道，韩国两大存储芯片巨头三星电子和 SK 海力士正升级其在华工厂，计划生产更先进的存储芯片。

报道称，美国的监管与限制影响了三星电子和 SK 海力士在中国大陆的产能，致使它们的中国市场份额被中国长江存储公司逐步超越。

电子和 SK 海力士高管此前也曾公开警告，地缘政治紧张局势正在削弱两家公司的在华业务。三星电子和 SK 海力士表示，他们正在推进工厂升级，并与美国政府保持密切沟通。不过，这两家公司没有披露生产计划升级的详细信息。

根据消息人士的说法，三星电子和 SK 海力士正在推动其中国工厂生产 200 层以上的 NAND 闪存芯片，使其产品技术水平与韩国本土工厂保持一致。

两名知情人士称，三星电子位于西安的工厂目前能生产约 200 层的 NAND 芯片，产能约占该公司全球 NAND 产量的 40%。

三星电子内部将此次升级计划称为 "Monami"，法语意为 " 我的朋友 "。其中一名知情人士透露，三星电子计划将西安工厂改造为生产 286 层 V9 NAND 芯片，并打算在今年 12 月实现月产 5000 片晶圆，到 2027 年 12 月进一步提升至 4 万片。

另据三名知情人士，SK 海力士计划将其大连工厂升级至生产 240 层及以上的 NAND 产品。目前，该工厂生产的产品最高约为 192 层。SK 海力士于 2021 年收购英特尔 NAND 业务时获得大连工厂。该工厂目前仍是海力士在华唯一的 NAND 制造基地，而这部分业务如今已更名为 Solidigm，并正筹备在美国首次公开募股（IPO）。

三星电子和 SK 海力士每年需要向美国申请许可证，才能在中国工厂安装刻蚀设备等美国制造产品。美国商务部工业与安全局还在去年表示，无意批准这些外国芯片制造商升级中国工厂的技术。这种监管限制削弱了他们的扩产能力，也导致部分市场份额让给长江存储。

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